[发明专利]通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法

权利要求书

1.至少将一个经过注入掺杂的碳化硅半导体在气流中进行热修复的方法，其特征在于：将至少一个碳化硅半导体(10i)置入几乎不含碳的气流(12)中。

2.按权利要求1中所述的方法，其特征在于：备有气流(12)，其中至少有时含有至少一种惰性气体和/或氮。

3.权利要求2中所述的方法，其特征在于：使用氩或氦作为惰性气体。

4.按以上权利要求方法中的一种方法，其特征在于：备有气流(12)，其中至少有时含氢。

5.按以上权利要求方法中的一种方法，其特征在于：在气流(12)中掺入至少一种对碳化硅半导体(10i)进行掺杂用的元素。

6.按以上权利要求方法中的一种方法，其特征在于：将气流的流速调在0.5cm/s到60cm/s之间；优选在5cm/s到25cm/s之间。

7.按以上权利要求方法中的一种方法，其特征在于：在至少在一个碳化硅半导体(10i)周围形成工艺静压压力在5000Pa到100000Pa之间、优选在10000Pa到50000Pa之间的气体环境。

8.按以上权利要求方法中的一种方法，其特征在于：至少将一个碳化硅半导体(10i)用一个托盘(16)放在容器(13)之中；托盘(16)和容器(13)至少与气流(12)发生接触的部分至少是用一种金属或者至少是用一种金属化合物制成的。

9.按权利要求8中所述的方法，其特征在于：在容器(13)中沿着气流的流向在托盘(16)的前方和后方分别放置一个热辐射屏蔽板(14，15)；热辐射屏蔽板(14，15)至少与气流接触的部分至少是用一种金属或者至少是用一种金属化合物制成的。

10.按权利要求9中所述的方法，其特征在于：在热辐射屏蔽板(14，15)上备有开孔(19)，气流(12)通过开孔流通。

11.按权利要求8至10中的一种所述的方法，其特征在于：备有熔点在1800℃以上的一种金属或金属化合物。

12.按权利要求8至11中的一种所述的方法，其特征在于：备有在1800℃的温度下蒸汽压力小于10-2Pa的一种金属或一种金属化合物。

13.按权利要求8至12中的一种所述的方法，其特征在于：备有一种耐氧化的金属或者一种耐氧化的金属化合物。

14.按权利要求8至13中的一种所述的方法，其特征在于：备有一种金属或一种金属化合物，其中至少含有钽、钨、钼、铌、铼、锇、铱之中的一种元素，或者至少含有这些元素中的一种碳化物。

15.按权利要求8至14中的一种所述的方法，其特征在于：该容器(13)优选采用感应加热。

16.按权利要求8至15中的一种所述的方法，其特征在于：该气流(12)进入容器内部时要进行预热。

17.按以上权利要求方法中的一种方法，其特征在于：至少一个经过注入掺杂的碳化硅半导体(10i)以100℃/分钟，优选30℃/分钟的加热速率加热至最高温度1000℃。

18.按权利要求17中所述的方法，其特征在于：该最高温度是在1100℃到1800℃之间，优选在1400℃到1750℃之间。

19.按权利要求17或18中所述的方法，其特征在于：一个注入掺杂碳化硅半导体(10i)要在规定的最高温度下保温到2分钟到60分钟。

20.按权利要求17至19中的一种所述的方法，其特征在于：该至少一个碳化硅半导体(10i)从最高温度起要以最高为100℃/分钟的冷却速率、优选最高为30℃/分钟的冷却速率冷却到最高为600℃的中间温度。

21.按权利要求17至20中的一种所述的方法，其特征在于：该至少一个碳化硅半导体(10i)在加热和冷却期间至少要在一个温度水平至少进行一次保温。