[发明专利]具有静磁稳定软邻近层的叠层磁阻结构无效
申请号: | 98809370.7 | 申请日: | 1998-09-22 |
公开(公告)号: | CN1272940A | 公开(公告)日: | 2000-11-08 |
发明(设计)人: | 丁菊仁;薛松生;胡安·费尔南德兹;德卡斯脱罗;J·多莱西;P·J·瑞安 | 申请(专利权)人: | 西加特技术有限公司 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 李湘 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 稳定 邻近 磁阻 结构 | ||
1.一种磁阻读取传感器,其特征在于包括:
隔离层;
位于隔离层中央区域的软邻近层,隔离层的第一和第二外部区域由中央区域隔开;
位于软邻近层上的间隔层;
位于间隔层第一和第二外部区域上的下层,从而在下层上形成第一和第二隋性区域并在软邻近层上形成活性区域;
位于第一和第二隋性区域的下层上的硬偏磁区域;
位于间隔层和硬偏磁区域上的磁阻层,它在活性区域和第一和第二隋性区域上延伸;以及
位于活性区域和第一和第二隋性区域磁阻层上的覆盖层。
2.如权利要求1所述的磁阻读取传感器,其特征在于进一步包括位于第一和第二隋性区域覆盖层上的多个触点。
3.如权利要求1所述的磁阻读取传感器,其特征在于磁阻单元由电阻率小于100μΩ-cm的软磁性材料构成。
4.如权利要求1所述的磁阻读取传感器,其特征在于间隔层材料由电阻率至少为100μΩ-cm的非磁性材料构成。
5.如权利要求1所述的磁阻读取传感器,其特征在于软邻近材料由电阻率至少为100μΩ-cm的软磁性材料构成。
6.如权利要求1所述的磁阻读取传感器,其特征在于硬偏磁区域包括:
位于第一和第二隋性区域内下层上的第一硬偏磁薄膜;
位于第一和第二隋性区域内第一硬偏磁薄膜上的低电阻率材料层;以及
位于第一和第二隋性区域内低电阻率材料层上的第二硬偏磁薄膜;
7.如权利要求6所述的磁阻读取传感器,其特征在于进一步包括位于第一和第二隋性区域覆盖层上的多个触点。
8.如权利要求6所述的磁阻读取传感器,其特征在于磁阻单元由电阻率小于100μΩ-cm的软磁性材料构成。
9.如权利要求6所述的磁阻读取传感器,其特征在于间隔层材料由电阻率至少为100μΩ-cm的非磁性材料构成。
10.如权利要求6所述的磁阻读取传感器,其特征在于软邻近材料由电阻率至少为100μΩ-cm的软磁性材料构成。
11.一种磁阻读取传感器的制造方法,其特征在于包括以下步骤:
在衬底上淀积软邻近层;
在软邻近层上淀积间隔层;
在间隔层的中央区域印制掩膜图案以曝光第一和第二外部区域;
去除外部区域内的软邻近层和间隔层以形成第一和第二隋性区域,第一隋性区域位于中央区域的一侧而第二隋性区域位于中央区域的另一侧;
在第一和第二隋性区域上淀积下层材料;
在下层材料上淀积硬偏磁区域;
从中央区域去除掩膜;
在第一隋性区域、中央区域和第二隋性区域上淀积磁阻层;以及
在第一隋性区域、中央区域和第二隋性区域上淀积覆盖层。
12.如权利要求11所述的磁阻读取传感器制造方法,其特征在于进一步包括在硬偏磁区域制造多个触点的步骤。
13.如权利要求11所述的磁阻读取传感器制造方法,其特征在于印制掩膜图案的步骤包括在间隔层上淀积PMGI和光致抗蚀剂组合并且从第一和第二外部区域去除这种组合。
14.如权利要求11所述的磁阻读取传感器制造方法,其特征在于淀积硬偏磁区域包括以下步骤:
在下层材料上淀积第一硬偏磁薄膜;
在第一硬偏磁薄膜上淀积低电阻率材料层;以及
在低电阻率材料层上淀积第二硬偏磁薄膜。
15.如权利要求14所述的磁阻读取传感器制造方法,其特征在于进一步包括在硬偏磁区域制造多个触点的步骤。
16.如权利要求14所述的磁阻读取传感器制造方法,其特征在于印制掩膜图案的步骤包括在间隔层上淀积PMGI和光致抗蚀剂组合并且从第一和第二外部区域去除这种组合。
17.一种磁阻读取传感器,其特征在于包括:
第一和第二隋性区域,它包括下层和位于下层上的硬偏磁层;以及
将第一和第二隋性区域分隔开的活性区域,活性区域包括被间隔层分开的软邻近层和磁阻层。
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