[发明专利]集成双频噪声衰减器

说明书

本发明涉及旁路或衰减器器件，更具体地说，涉及用于衰减双离散频率噪声的小型化陶瓷器件。该器件的一个具体应用是用于被称作双模式多孔电话的一噪声衰减器，它具有数字和模拟两种输出。在这种器件中，能够同时在两个离散频率上进行有效的传送，最好能减小两个频率所产生的噪声。

最近开发的双模式多孔电话的现有经验是提供适合用于衰减(向地分流)在各数字和模拟传送电路中产生的噪声离散LC网络。随着小型化的趋势日益明显，使用固定到主板上的分立元件的需求越来越少，因为多个元件会占领以前的几何空间。

更重要的是，在蜂窝技术(模拟传送中是900MHz，数字传送中是1.9MHz)中涉及的超高频中包含与各分立元件的引线通路会导致电感的巨大变化，因为引线本身起着电感线圈的作用。

下面的参考资料是对本申请进行的现有技术检索中得到的。

美国专利No.5,430,605中介绍了一MLC，它包括一阻抗连接。

美国专利No.5,170,317中介绍了一MLC，除了传统的电极以外，还包括一校正电极，它比主电极窄，所以可以提供具有准确值的电容。

美国专利No.4,758,922中介绍了一U形带状传输线，它取着一谐振元件(电容器)的作用，包括一地线层和一中间介电层。

美国专利No.4,479,100涉及一阻抗匹配网络，它包括多个具有不同截面面积的电极，该电极可同主电极并行连接，以提供选定的理想电容。

美国专利No.4,074,340中介绍一MLC，它包括一延伸到单块侧面的调节电极。通过连接或断开调节电极和主电极可以有效地调节电容。

美国专利No.4,408,593和美国专利No.2,758,256中介绍了在一个基底上提供多个分立电容的概念。

本发明涉及一种陶瓷集成双频噪声衰弱器件，更具体地说，涉及一种在两个离散频率向地提供低阻抗通道的衰弱器件。

更具体地说，本发明涉及一种双频旁路器件，其特征在于它便于制造，并提供能准确控制的双LC电路。

更具体地说，本发明涉及一单层或多层旁路器件，特别适合于噪声过滤，该器件在独石(monolithic)陶瓷介电结构中包括一对U形电极。每个电极包括一个基部和一对从基部伸出的腿部。在独石结构中，每个基部位于独石的一个区域，每个U形的腿部指向相对U形的基部，电极位于陶瓷介电层的相对表面上。

本发明的一个特征是一对腿部所形成的覆盖面积和第二对腿部所形成的覆盖面积不同，所以可以形成两个分立电容。覆盖面积的差值可以通过让一对腿比另一对腿长或让一对腿比另一对腿宽，或综合这些因素来实现。

本发明的另一特征在于U形的分支与U形的基部连接可以起到电感器的作用，所以，通过提供U形电极的上述组合可以使器件提供由与一对由电极(它与U形结构的基部一起还形成电容)形成的电感并行或串行连接的电容值不同的电容组成的电路。电容差值是通过让U形一侧的覆盖腿比U形相对侧的腿长平提供，由于腿长，所以传导通道也长，可以提供较大的电感。

本发明的另一特征在于，由于电极的U形结构，可以通过加长U形的基部的长度来增加电感，所以便于在不增加电容情况下增加电感。

本发明的器件紧凑、适于制造，它在单个芯片上提供了光通道和噪声减少，但是有两个引线与主极连接。通过减少外部传导通道，可以更大程度上改变旁路器件的特性。和采用离散电容器和电感器的技术相比，需要加长PC主极上的传导通通路，因此，或多或少地控制了电感。

根据本发明，其一个目的是提供一适合制造的集成芯片器件，它特别适合于用于双离散频率的旁路或噪声衰弱器件。

本发明的另一目的在于提供一种上述器件，其中，电容或电感值可以得到精确控制，该器件与经常使用的主极的图案兼容。

图1A和1B分别是根据本发明的器件的上、下电极的平面图；

图2是本发明的器件的简单分解透视图；

图3是由本发明的器件形成的电路图。

参考附图，图2是本发明的器件的简单分解透视图，图中各元件的尺寸和厚度都被放大，以便于理解本结构。

旁路器件10由包括一个或多个介电层11的陶瓷单块构成，在其相对表面上形成U形的上、下电极12和13。电极12包括一带有从相对端伸出的腿15和16的基部14。电极13包括一带有从相对端伸出的腿15a和16a的基部14a。