[发明专利]半导体密封用树脂组合物和使用它的半导体装置以及半导体装置的制法

权利要求书

1.一种半导体密封用树脂组合物，其特征在于，该组合物含有下列成分(A)～(C)：

(A)热硬性树脂；

(B)硬化剂；

(C)由下示通式(I)所示的多面体形状的复合金属氢氧化物，

    m(M_aO_b)·n(Q_dO_e)·cH₂O……(I)

式中，M及Q为不同的金属元素，Q为选自属于元素周期表中的IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib、IIb族中的金属元素。又，m、n、a、b、c、d、e为正数，可为相同或不同的值。

2.按照权利要求1记载的半导体密封用树脂组合物，其中代表式(I)所示的复合金属氢氧化物的金属元素的M选自铝、镁、钙、镍、钴、锡、锌、铜、铁、钛及硼中的至少一种金属。

3.按照权利要求1或2所述的半导体密封用树脂组合物，其中表示式(I)所示的复合金属氢氧化物的金属元素的Q选自铁、钴、镍、钯、铜、锌及镉中的至少一种金属。

4.按照权利要求1～3的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)代表的复合金属氢氧化物的平均粒径为0.5～10μm。

5.按照权利要求1～4的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)代表的复合金属氢氧化物的宽长比为1～8。

6.按照权利要求1～5的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中复合金属氢氧化物全体中的上式(I)代表的具有多面体形状的复合金属氢氧化物的所占比例为30～100重量％范围。

7.按照权利要求1～6的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)所代表的复合金属氢氧化物为

sMgO·(1-s)NiO·cH₂O

式中0＜s＜1，0＜c≤1。

8.按照权利要求1～6的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)所代表的复合金属氢氧化物为

sMgO·(1-s)ZnO·cH₂O

式中0＜s＜1，0＜c≤1。

9.按照权利要求1～8的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中式(I)代表的复合金属氢氧化物的含有量为树脂组合物全体的1～30重量％。

10.按照权利要求1～9的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中该半导体密封用树脂组合物的硬化体的萃取液的pH值为6.0～8.0范围，且其氯离子浓度对1g的树脂组合物硬化体为200μg以下。

11.按照权利要求1～10的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中该半导体密封用树脂组合物的硬化体的厚度在1/16吋时的UL94燃烧试验中，显示相当于V-0的阻燃性。

12.按照权利要求1～11的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中作为上述(A)成分的热硬性树脂是环氧树脂。

13.按照权利要求12记载的半导体密封用树脂组合物，其中上述环氧树脂为酚醛型环氧树脂。

14.按照权利要求12记载的半导体密封用树脂组合物，其中该环氧树脂为双苯基型环氧树脂。

15.按照权利要求1～14的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中该硬化剂成分(B)为酚树脂。

16.按照权利要求1～14的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中该硬化剂成分(B)为酚芳烷基树脂。

17.按照权利要求1～16的任一项所述的半导体密封用树脂组合物，其中作为上述(C)成分的含有多面体形状的复合金属氢氧化物的复合金属氢氧化物及无机填充剂的合计量为半导体密封用树脂组合物全体的60～92重量％。

18.按照权利要求1～16的任一项记载的半导体密封用树脂组合物，其中作为上述(C)成分的含有多面体形状的复合金属氢氧化物的复合金属氢氧化物及无机填充剂的合计量为半导体密封用树脂组合物全体70～90重量％。

19.按照权利要求17或18记载的半导体密封用树脂组合物，其中该无机填充剂为二氧化硅粉末。