[发明专利]形成超导器件的方法及如此形成的超导器件

权利要求书

1.一种用于形成超导器件的方法，其特征在于包括步骤：在衬底材料上淀积氧化物超导体薄膜层；用至少一个掩膜层覆盖所述超导体层的至少一个选出部分；将离子注入到所述超导体层，其中所述至少一个掩模层阻止对所述至少一个选出部分的离子注入；以及用蚀刻剂化学蚀刻所述超导体层，所述蚀刻剂择优地除去所述超导体层中不是所述至少一个选出部分的部分，其特征在于所述蚀刻剂包括磷酸。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述注入步骤包括注入铝离子。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述注入步骤包括注入离子束能量在100KeV和200KeV之间的离子。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括在所述离子注入步骤前在所述超导体层上形成保护层的步骤，所述保护层用于防止所述超导体层被沾污，注入的离子穿过所述保护层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述保护层具有开口，并且所述化学蚀刻步骤包括将包含磷酸的所述蚀刻剂通过所述开口加到所述超导体层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述超导器件是微型器件。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述超导器件是超微型器件。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括在设置在所述衬底上的所述超导体层上淀积至少一个额外的氧化物超导体薄膜层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于在分别对所述至少一个额外的氧化物超导体薄膜层的每一层进行离子注入前，用至少一个掩模层来覆盖所述至少一个额外的氧化物超导体薄膜层的每一层。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于在所述化学蚀刻步骤之前执行对所述至少一个额外层的所述分别注入。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述蚀刻剂包括浓度不超过1.5×10^-3M的磷酸。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述超导器件是波导。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述超导器件包括射频线圈。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述超导器件是辐射热测量计。

15.一种超导器件，包括：衬底：以及设置在所述衬底上的薄膜超导体层；其中所述超导体层的至少一个选出部分被离子注入，随后所述经离子注入的半导体层经过化学蚀刻而除去所述至少一个选出部分，其特征在于随后所述经离子注入的半导体层在一包括磷酸的溶液中化学蚀刻，以除去半导体层的所述至少一个选出部分中的每一个。

16.如权利要求15所述的器件，其特征在于所述超导器件是波导。

17.如权利要求15所述的器件，其特征在于所述超导器件包括射频线圈。

18.如权利要求15所述的器件，其特征在于所述超导器件是辐射热测量计。

19.如权利要求15所述的器件，其特征在于所述超导层包括金属氧化物材料。

20.如权利要求15所述的器件，其特征在于还包括在所述超导体层上形成的保护层。

21.如权利要求20所述的器件，其特征在于所述保护层不阻止所述离子注入。

22.如权利要求20所述的器件，其特征在于所述保护层阻止所述离子注入。

23.如权利要求15所述的器件，其特征在于还包括至少一个额外的超导体层。

24.如权利要求23所述的器件，其特征在于所述至少一个额外的超导体层中的每一层都包括已通过在包含磷酸的所述抗蚀剂溶液中的所述化学蚀刻而除去的选出部分。

25.如权利要求23所述的器件，其特征在于所述至少一个额外的超导层的每一层具有从那里形成的保护层。

26.如权利要求15所述的器件，其特征在于所述超导层包括高温超导体材料。