[发明专利]形成碳膜的方法无效
| 申请号： | 98800304.X | 申请日： | 1998-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1220707A | 公开（公告）日： | 1999-06-23 |
| 发明（设计）人： | 斯考特·V·约翰森 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1．一种形成碳膜的方法，包括下列步骤：
在真空电弧沉积设备(100)中设置石墨源(115)；
在真空电弧沉积设备(100)的石墨源(115)和阳极(112)之间形成电弧(122)；以及
使电弧(122)脉动，限定脉冲电弧信号(120)的脉冲宽度为0.25～100微秒，而且为脉冲电弧信号(120)周期的10～50％。
2．如权利要求1所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：使电弧(122)脉动以限定脉冲电弧信号(120)的脉冲宽度为0.25～10微秒。
3．如权利要求2所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：使电弧(122)脉动以限定脉冲电弧信号(120)的脉冲宽度为0.5～2微秒。
4．如权利要求1所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：使电弧(122)脉动以提供其脉冲宽度为周期的20～30％的脉冲电弧信号(120)。
5．如权利要求1所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
形成电弧(122)的步骤包括下列步骤：形成电弧电流为20～500安培的电弧(122)。
6．如权利要求5所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
形成电弧(122)的步骤包括下列步骤：形成电弧电流为100～300安培的电弧(122)。
7．如权利要求1所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：使电弧(122)脉动以限定脉冲电弧信号(129)具有小于100纳秒的上升时间。
8．如权利要求7所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：使电弧(122)脉动以限定脉冲电弧信号(120)具有小于50纳秒的上升时间。
9．如权利要求8所述的形成碳膜的方法，其特征在于：
使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：使电弧(122)脉动以限定脉冲电弧信号(120)具有5～20纳秒的上升时间。
10．如权利要求1所述的形成碳膜的方法，其特征在于，使电弧(122)脉动的步骤包括下列步骤：
把功率MOSFET开关电路(200)的输入端(210)与电弧电源(116)的输出端相连；
把功率MOSFET开关电路(200)的输入端(212)与真空电弧沉积设备(100)的阳极(112)相连；以及
使来自功率MOSFET开关电路(200)的电弧电源(116)的电流信号(119)脉动，以后阳极(112)提供脉冲电流信号(120)。
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