[发明专利]互补金属氧化物半导体集成电路有效
| 申请号： | 98800117.9 | 申请日： | 1998-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1124689C | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 冈安俊幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱德万测试 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03F3/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 集成电路 | ||
【说明书】：
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