[实用新型]改进型电容性位移传感器

权利要求书

1.一种测量长度和角度的电容性位移传感器，包括以沿位移和测量方向相互相对移动的方式安置的主标尺和副标尺，上述副标尺上安置有与上述移动方向垂直的发射电极(12)，且在每个节距T内有2N(N为整数)个发射不同信号的发射电极(12)，另外还有一个接收电极(11)，上述主标尺装有其位置面向上述发射电极(12)和接收电极(11)的反射电极(10)，此外还有利用上述发射电极(12)，接收电极(11)和反射电极(10)之间的耦合电容测量上述两标尺的相对位移的电子电路，其特征在于：将副标尺的同一节距T内相邻的发射电极(12)分别排列在接收电极(11)的两侧，且在一个节距T内仍包含所有发射不同信号的发射电极(12)，相邻的发射电极(12)间沿位移测量方向的几何间隙为零，即相邻发射电极(12)之间的垂直于位移测量方向的相邻的边，在沿位移测量方向的垂直距离为零，对应于每一个节距T内的发射电极(12)的排列顺序，在与之相距若干个节距T的另一节距T内其发射电极(12)的排列顺序与上述发射电极(12)的排列顺序相交错，并且相邻两组之间有一个节距T的间隙，主标尺的反射电极(10)为侧倒的T形。

2.根据权利要求1所述的电容性位移传感器，其特征在于：反射电极(10)的间距与发射电极(12)的节距T相等。

3.根据权利要求3所述的电容性位移传感器，其特征在于：接收电极(11)为矩形，其长度是发射电极(12)的节距T的整数倍。

4.根据权利要求4所述的电容性位移传感器，其特征在于：接收电极(11)的两端分别比发射电极(12)的两外端短T/2。

5.根据权利要求1所述的电容性位移传感器，其特征在于：主标尺和副标尺采用电子陶瓷或电子玻璃作基体和交叉应用厚膜电路与薄膜电路的制作工艺进行制作。

6.根据权利要求1所述的电容性位移传感器，其特征在于：采用两片集成电路(22)、(23)的形式制作电子电路，其中一片集成电路(22)用于产生发射电极(12)信号和接收接收电极(11)的信号，并将接收电极(11)信号放大、解调，完成数模转换，另一片集成电路(23)则进行数据处理和实现各种功能。