[发明专利]用于编程的抗熔丝及其制作方法、带编程装置的维修电路

权利要求书

1.  在具有用于存储单元阵列的故障单元与冗余单元互换的抗熔丝和编程装置的维修电路中，一种改进的维修电路，包括：

一半电源电压源，用于供给半电源电压；

一编程电压源，为存储单元阵列的故障单元与冗余单元的互换提供编程电压；

一地电压源，用于根据存储单元的地址信号供给地电位；

一抗熔丝，在正常工作情况下，它用于接收半电源电压源的电压并对其充电，在编程过程中，根据编程电压源和地电压源之间的电压差来击穿介电膜，从而实现编程；

一输出单元，根据从半电源电压源、编程电压源和抗熔丝的公共连接节点施加的电压在抗熔丝的编程状态基础上输出一输出信号。

2.  权利要求1的电路，其中所述抗熔丝包括分别与半电源电压源和编程电压源的输出端相连接的上电极。

3.  权利要求1的电路，其中所述抗熔丝包括与地电压源的输出端相连接的下电极。

4.  在为存储单元阵列的故障单元与冗余单元的互换编程的抗熔丝中，为冗余单元编程的维修电路的一种改进的抗熔丝包括：

具有隔离层的下电极，隔离层的顶端在其外部；

在下电极的上部形成的介电膜；

在介电膜的上部形成的上电极；

由此在编程过程中与下电极的隔离层相接触的介电膜被击穿。

5.  在为存储单元阵列的故障单元与冗余单元互换编程的抗熔丝的形成方法中，为冗余单元编程的维修电路的抗熔丝的制作方法包括以下步骤：

在半导体器件的上部形成下层间绝缘膜，半导体器件包括在半导体衬底上形成的杂质注入区；

形成下电极，下电极通过下层间绝缘膜中的接触孔与半导体器件的杂质注入区相接触并具有隔离层，隔离层的顶端在其外部；

在下电极的上部形成一层介电膜；

在介电膜的上部形成上电极。

6.  权利要求5的方法，其中形成下电极的所述步骤包括以下子步骤：

在下层间绝缘膜中形成接触孔，以便通过该孔暴露半导体器件的杂质注入区；

在包括接触孔的层间绝缘膜的上部淀积导电层；

在导电层的上部淀积绝缘膜；

形成确定一部分下电极的图形，以便对顺序叠置的绝缘膜和导电层构图；

在这样形成的图形的外表面上形成由导电层形成的隔离层；

除去形成图形的绝缘膜。

7.  权利要求5的方法，其中所述下电极和上电极均采用注入杂质的多晶硅。

8.  权利要求5的方法，其中所述下电极和上电极都是由耐火金属形成的。

9.  权利要求5的方法，其中所述金属是从包括钽和钛的组中选择的一种金属。

10.  权利要求5的方法，其中介电膜是由氧化膜形成的。

11.  权利要求5的方法，其中所述介电膜是由把氧化膜、氮化膜和氧化膜顺序叠置的组合膜形成的。

12.  权利要求5的方法，其中所述介电膜的厚度为30-100。