[发明专利]温度稳定型高介多层陶瓷电容器材料的组成和制备方法无效
| 申请号: | 98124799.7 | 申请日: | 1998-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN1067361C | 公开(公告)日: | 2001-06-20 |
| 发明(设计)人: | 李龙土;王晓慧;桂治轮;陈仁政;李涛;曾智强;周济 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01L41/16 |
| 代理公司: | 清华大学专利事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度 稳定 型高介 多层 陶瓷 电容器 材料 组成 制备 方法 | ||
本发明属于电容器材料技术领域,特别涉及一种高性能温度稳定(X7R)型多层陶瓷电容器材料的组成和制备方法的研究。
多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors)简称MLCC。它是将电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合起来,并同时烧成一个整体。根据国际电子工业协会EIA(Electronic Industries Association)标准。X7R型MLCC是指在温度区间-55~125℃之间,容温变化率<±15%,介电损耗(DF)≤2.5%。X7R型MLCC按组成分两大类:一类由含铅的铁电体组成,另一类以钛酸钡(BaTiO3)为基非铅系的铁电体组成。而后者由于对环境无污染,并且机械强度及可靠性优于前者,因此非铅系BaTiO3基X7R型MLCC具有广阔的应用前景。
非铅系X7R型MLCC组成主要是以BaTiO3为基料,适当添加铌(Nb)、钽(Ta)、过渡元素钴(Co)、镁(Mg)、锰(Mn)等及其它元素为改性剂(二次添加剂),一般烧结温度高,均在1300℃以上。有些加入氧化硅(SiO2)、氧化铋(Bi2O3)等为烧结助剂来降低烧结温度。
传统的制备X7R型MLCC的工艺一般是通过固相合成法。工艺步骤包括称料-混料-高温合成-粉碎-二次添加-筛分-成型-烧结等。该工艺存在组分分布不均匀,合成温度高,易受杂质污染,再现性差等缺点。而且烧结温度高,能耗高,不利于工艺控制。
较为成熟的非铅系X7R型MLCC产品主要有如下几种:
其一,美国专利,U.S.Pat.No,5086021,Kyoichi Sasaki等人发明以SiO2为助烧剂,在1240~1320℃烧结可以得到室温介电常数(K)值在3000~4000之间的X7R型MLCC材料。
其二,日本专利(参考日本公开特许公报,特开平8-180733)发明者新宫雄二,以BaTiO3为基料,氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化钇(Y2O3)为添加剂,SiO2为烧结助剂,在1170~1210℃烧结可以得到K在3000~4000之间的X7R型MLCC材料。
其三,美国专利,U.S Pat.No 5571767,(Wilson)威尔森发明的以BaTiO3为主料,加入氧化钕(Nd2O3),以氧化铋(Bi2O3)、氧化钛(TiO2)及玻璃相氧化铅(PbO)、Bi2O3、SiO2、TiO2、氧化铝(Al2O3)为烧结助剂,在1100℃以下,烧结制备出X7R型MLCC材料介电常数最大为3200。
其四,最近美国材料研究分析实验室报导了最新研究成果。低烧BaTiO3基X7R型MLCC,介电常数达4400。但烧结工艺复杂,需要严格控制三次烧成,烧结温度~1110℃。
本发明的目的是为解决或改善传统工艺中存在的问题,提出一种温度稳定型多层陶瓷电容器材料的组成,该材料配方简单,配方可调,可利用材料自身的优势降低烧结温度而不需再加助烧剂,材料烧成范围宽,烧成温度低,容温度化率小,介电损耗小;且提出的制备工艺方法简便,烧结工艺易控,制成的材料纯度的均匀性好,性能重复性好,有利于提高电容器的可靠性。
本发明提出的温度稳定型高介多层陶瓷电容器材料,其特征在于,由钛酸钡主料和用于改善温度性能的二次添加剂组成,所说的二次添加剂包括氧化铌、氧化钴以及至少一种稀土氧化物,所说的各材料的配方为(以摩尔计):
[100-(a+b+c)]BaTiO3+aNb2O5+bCo3Ox+cRe2O3;
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