[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98123314.7 | 申请日： | 1998-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1225520A | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 大矢昌辉;土井健嗣 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1．一种半导体器件，在第1导电型半导体基片上具有包括含第1导电型覆盖层、有源层、带状台面部的第2导电型覆盖层组成的双异质结构，在该双异质结构上具有按该顺序的除所述台面上部外形成的第1电流阻挡层以及第2电流阻挡层，其特征是，所述第1电流阻挡层的表面具有所述第2导电型覆盖层的平坦面的面方向和台面侧面的面方向的中间角度面方向。
2．根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是，所述第1导电型半导体基片是GaAs，所述双异质结构由GaInP以及AlGaInP组成，第1电流阻挡层是AlGaAs，第2电流阻挡层是AlInP。
3．根据权利要求1所述的半导体器件，其特征是，所述第1导电型半导体基片是GaAs，所述双异质结构由InGaAs以及AlGaAs组成，第1电流阻挡层是AlGaAs，第2电流阻挡层是AlInP。
4．一种半导体器件的制造方法，其特征是，包括以下步骤：在导电型基片上利用有机金属气相生长法，形成包括第1导电型覆盖层、有源层、第2导电型覆盖层组成的双异质结构；腐蚀达到所述第2导电型覆盖层中途；在所述双异质结构上利用有机金属气相生长法形成第1以及第2电流阻挡层。
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