[发明专利]半导体陶瓷和使用该半导体陶瓷的半导体陶瓷元件无效
| 申请号： | 98121544.0 | 申请日： | 1998-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1093106C | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | 川瀬洋一;中山晃庆;上野哲;石川辉伸;新见秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;H01C7/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 白益华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 陶瓷 使用 元件 | ||
1.一种半导体陶瓷，包括(a)氧化钴镧作为主组分和(b)至少一种选自Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ni、Cu和Zn的元素的氧化物，所述氧化物(b)的含量按其元素计约为0.001-1摩尔％。
2.如权利要求1所述的半导体陶瓷，其特征在于氧化钴镧为LaxCoO3，0.5≤x≤0.999。
3.如权利要求2所述的半导体陶瓷，其特征在于LaxCoO3的一部分La被选自Pr、Nd和Sm的至少一种元素所代替。
4.如权利要求1所述的半导体陶瓷，其特征在于含有的氧化物是Ca或Cu的氧化物。
5.如权利要求1所述的半导体陶瓷，其特征在于含有2或3种所述氧化物(b)。
6.如权利要求1所述的半导体陶瓷，其特征在于氧化物(b)的含量按其元素计约为0.005-0.9摩尔％。
7.一种半导体陶瓷元件，包括如权利要求1所述的半导体陶瓷和所述陶瓷上的电极。
8.如权利要求7所述的半导体陶瓷元件，其特征在于氧化钴镧为LaxCoO3，0.5≤x≤0.999。
9.如权利要求8所述的半导体陶瓷元件，其特征在于LaxCoO3的一部分La被选自Pr、Nd和Sm的至少一种元素所代替。
10.如权利要求9所述的半导体陶瓷元件，其特征在于含有的氧化物是Ca或Cu的氧化物。
11.如权利要求9所述的半导体陶瓷元件，其特征在于含有2或3种所述氧化物(b)。
12.如权利要求9所述的半导体陶瓷元件，其特征在于氧化物(b)的含量按其元素计约为0.005-0.9摩尔％。
13.一种骤增电流抑制器，含有如权利要求7所述的半导体陶瓷元件。
14.一种用于延迟电动机启动的装置，含有如权利要求7所述的半导体陶瓷元件。
15.一种用于保护卤素灯的装置，含有如权利要求7所述的半导体陶瓷元件。
16.一种温度补偿的晶体振荡器，含有如权利要求7所述的半导体陶瓷元件。
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