[发明专利]掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体

权利要求书

1.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd³⁺：LaSc₃(BO₃)₄；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在1at.％～25at.％之间；具有R32空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。

2.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Nd³⁺：LaSc₃(BO₃)₄；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在1at.％～25at.％之间；具有Cc空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。

3.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子为Nd³⁺：LaSc_3-xAl_x(BO₃)₄，即由氧化铝部分替代氧化钪；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在1at.％～25at.％之间；具有R32空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。

4.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子为Nd³⁺：LaSc_3-xAl_x(BO₃)₄，即由氧化铝部分替代氧化钪；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在.1at.％～25at.％之间；具有Cc空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。

5.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子为Nd³⁺：LaSc_3-xGa_x(BO₃)₄，即由氧化镓部分替代氧化钪；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在1at.％～25at.％之间；具有R32空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。

6.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体，其特征在于：该晶体的分子为Nd³⁺：LaSc_3-xGa_x(BO₃)₄，即由氧化镓部分替代氧化钪；该晶体属于低温相；掺钕离子浓度在1at.％～25at.％之间；具有Cc空间群结构；并具有非线性光学效应，产生自倍频激光。

7.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体的制备，采用助熔剂方法生长，其特征在于：具有R32空间群结构的低温相Nd³⁺：LaSc₃(BO₃)₄晶体，所用助熔剂是Li₂O-B₂O₃-LiF，其配比为(1～4)∶(3～1)∶(0.1～2)，浓度控制在25at.％～65at.％之间；生长温度在1300～1050℃范围内，采用2～5℃/天的降温速率和4～50转/分的晶体转速。

8.掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体的制备，采用助熔剂方法生长，其特征在于：具有Cc空间群结构的低温相Nd³⁺：LaSc₃(BO₃)₄晶体，所用助熔剂是Li₂O-B₂O₃-LiF，其配比为(1～4)∶(3～1)∶(0.1～2)，浓度控制在25at.％～65at.％之间；生长温度在1050～850℃范围内，采用2～5℃/天的降温速率和4～50转/分的晶体转速。