[发明专利](3－氧异二氢亚吲哚－1－基)丙二腈衍生物及其制法

说明书

本发明是关于(3-氧异二氢亚吲哚-1-基)丙二腈衍生物作为光学活性(旋光性)发色团和制备这些衍生物的方法。

在生产光电子学器件的普通方法中，是采用无机材料，例如含有周期表中第Ⅲ-Ⅴ族元素的半导体化合物LiNbO₃、InP或GaAs。采用无机材料的这种光电子学器件已经进入商品市场。

近年来，已经在研究一种方法以便使用有机发色团来生产光电子学器件，而且这样的器件已部分投入工业生产。

无机材料的光电子学特性是产生自各分子间键的断裂和重新组合。而有机发色团的光电子学特性是来源于π-电子的极化。基于π-电子共振结构显示光电子学特性的这种有机发色团，与无机材料相比，具有良好的光学特性，例如非线性光学特性。而且，由于有机发色团大部分是合成的，所以各种特性包括机械性能及耐热、抗氧、耐光等性能都可最佳化。还有，它能容易地应用于基于半导体生产工艺的光电子学器件的生产方法。

在生产光电子学器件包括光电子学集成电路(OEIC)、光学波导器件及多芯片模块(MCM)器件中，是采用通用的半导体生产工艺方法。因而用于生产光电子学器件的光学材料，应当在生产半导体所需时间和温度下具有热稳定性。

光学材料的热稳定性是与其玻璃化转变温度、热分解温度、热膨胀系数及光双折射密切有关。因此，最好选择适合的光学材料时应考虑到上述一些特性及热稳定性。

然而，普通有机发色团却不足以保证在生产电子光学器件过程中对所需温度的耐热性。亦即，在生产电子光学器件的温度下有机发色团会分解。

为了解决上述问题，人们正在研究一种方法未改善有机发色团的耐热性。然而，发色团耐热性的改进又会降低其光电子特性，并且使发色团的合成复杂化。

而且，普通有机发色团会引起光通讯所使用的近红外光波长范围内光吸收的大量损失。在近红外光波长范围内严重的光吸收损失是由于有机发色团会吸收近红外光波长范围内的光。一般，有机发发色团在近红外光波长范围内的吸收是由于有机发色团中碳-氢(C-H)键的伸缩和变形振动的高调谐波所引起。所以使用有机发色团作为光学波导的光学材料，必然导致相当大的光损失。为了减少这种光损失，有机发色团的光吸收区域应当移向较长的波长区或较短的波长区。为达到此目的，有人提出一种方法，将C-H键上的氢(H)用氟(F)替代或用重氢(D)替代之。

用D代替H的方法，不适合作为材料用于使用1500nm波长的光通讯器件，因为C-D键对1500nm波长具有大的光吸收损失。另一方面，用F代替H的方法，已经证明为一种能将1000-1700nm波长范围的光吸收损失减少到最低限度。

为了解决上述问题，本发明的目的是提供一些(3-氧异二氢亚吲哚-1-基)丙二腈衍生物，它们能够减少在近红外光波长范围内的光吸收损失，如在生产电子光学器件的温度下很稳定，而且容易制备。

本发明的另一目的是提供一种制各(3-氧异二氢亚吲哚-1-基)丙二腈衍生物的方法。

为了达到本发明的目的，已经提供了如下式1所代表的-些(3-氧异二氢亚吲哚-1-基)丙二腈衍生物：      1式中Y₁、Y₂和Y₃各单独选自由氢和卤素所组成的一组，X₁是选自由氢、卤素原子、-OR₁、-NHR₁、-COOR₁、-COR₁、-NO₂以及-N(R₁)(R₂)