[发明专利]磁头及其制造方法

权利要求书

1．一种磁头，它由滑块和设在该滑块的从动端端部上，具有NiFe系合金层的磁性记录和/或再现用的薄膜元件构成，其特征为，当记录媒体停止时，前述滑块的相对表面与前述记录媒体表面接触，在记录媒体开始运动后，磁头承受由记录媒体表面的空气流产生的浮力，可以在与记录媒体相对的薄膜元件的表面和前述滑块的相对表面上，直接形成碳膜。

2．如权利要求1所述的磁头，其特征为，构成前述薄膜元件的NiFe系合金层表面的晶体结构，由α相(体心立方晶格)组成，前述α相的膜厚在0.5～40毫微米范围内。

3．如权利要求2所述的磁头，其特征为，前述α相的膜厚在1.0～20毫微米范围内。

4．如权利要求1所述的磁头，其特征为，构成前述薄膜元件的NiFe系合金层表面的晶体结构为γ相(面心立方晶格)，前述碳膜是通过向前述γ相的表面的扩散层形成的。

5．如权利要求1至4中任何一项所述的磁头，其特征为，可以形成CN膜(氮化碳膜)来代替前述碳膜。

6．一种磁头的制造方法，该磁头由滑块和设在该滑块的从动端端部上，具有NiFe系合金层的磁性记录和/或再现用的薄膜元件构成，当记录媒体停止时，前述滑块的相对表面与前述记录媒体表面接触，在记录媒体开始运动后，磁头承受由记录媒体表面的空气流产生的浮力，其特征为，该制造方法具有：

利用研磨或腐蚀等方法，切削前述薄膜元件表面，使构成NiFe系合金层表面的晶体结构的α相的膜厚保持在0.5～40亳微米范围内的工序，和

在薄膜元件表面和滑块浮起面上，形成碳膜或CN膜(氮化碳膜)的工序。

7．如权利要求6所述的磁头制造方法，其特征为，利用研磨或腐蚀等方法，切削薄膜元件表面，使前述NiFe系合金层表面的α相膜厚保持在1.0～20毫微米范围内。

8．一种磁头的制造方法，该磁头由滑块和设在该滑块的从动端端部上，具有NiFe系合金层的磁性记录和/或再现用的薄膜元件构成，当记录媒体停止时，前述滑块的相对表面与前述记录媒体表面接触，在记录媒体开始运动后，磁头承受由记录媒体表面的空气流产生的浮力，其特征为，该制造方法具有：

完全除去α相，使在前述NiFe系合金层表面上，呈现γ相的工序，和

通过将碳离子或氮离子注入前述NiFe系合金层表面，形成扩散层，而在薄膜元件表面和滑块的相对表面上，形成碳膜或CN膜的工序。