[发明专利]集成电路中的似电容元件

权利要求书

1.一种集成电路中的似电容元件，包括：一具有一上表面的第一底电极、一第二顶电极，以及一位于所述第一底电极和第二顶电极之间的介质膜，其特征在于：所述介质膜含有至少一层保护性陶瓷材料，该陶瓷材料含有至少一种金属元素与碳、氮、氧、磷和硫中的至少一种非金属元素之间的化合物。

2.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料的Pilling-Bedworth比大于1。

3.根据权利要求2所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料的Pilling-Bedworth比小于2。

4.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属氧化物。

5.根据权利要求4所述的似电容元件，其特征在于：所述金属氧化物是Be、Cu、Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pb、Ce、Sc、Zn、Zr、La、Y、Nb、Rh和Pt中至少一种元素的氧化物。

6.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属氮化物。

7.根据权利要求6所述的似电容元件，其特征在于：所述金属氮化物是Ti、V、Cr、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Ta、Al和Ge中的至少一种元素的氮化物。

8.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属碳化物。

9.根据权利要求8所述的似电容元件，其特征在于：所述金属碳化物是Ti、Si、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Y、Zr、Nb、Mo、La、Hf、Ta、W和Al中的至少一种元素的碳化物。

10.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属磷化物。

11.根据权利要求10所述的似电容元件，其特征在于：所述金属磷化物是Ti、Fe、Co、Ni、Cu、Cd和Sn中至少一种元素的磷化物。

12.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属硫化物。

13.根据权利要求12所述的似电容元件，其特征在于：所述金属硫化物是Cu、Ag、In、Sn、Tl、Pb和Bi中的至少一种元素的硫化物。

14.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述第一底电极的上表面至少包括一种金属元素，所述金属元素是组成所述保护性陶瓷材料的一种元素，此保护性陶瓷材料中至少一部分用生长法形成，以及，在生长过程中，碳、氮、氧、磷、硫中至少一种元素被结合到所述第一底电极的上表面。

15.根据权利要求14所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属氧化物；以及所述第一底电极的上表面含有Be、Cu、Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pb、Ce、Sc、Zn、Zr、La、Y、Nb、Rh和Pt中的至少一种金属元素。

16.根据权利要求14所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料是金属氮化物；所述第一底电极的上表面含有Ti、V、Cr、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Ta、Al和Ge中的至少一种金属元素。

17.根据权利要求14所述的似电容元件，其特征在于所述生长法包括：高温氧化、高温氮化、等离子氧化、等离子氮化、阳极氧化和离子注入法。

18.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料至少有一部分是由沉积法形成的，以及，在沉积过程中，所述保护性陶瓷材料形成在第一底电极上。

19.根据权利要求18所述的似电容元件，其特征在于：所述沉积法包括：直接溅射、反应溅射和CVD法。

20.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述第一电极至少有一部分是由蒸发法形成的。

21.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料具有多晶结构。

22.根据权利要求1所述的似电容元件，其特征在于：所述保护性陶瓷材料具有无定形结构。