[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中，其特征是，具有在硅衬底上形成分离用的氧化膜和栅极氧化膜，在该栅极氧化膜上形成栅极的工序、在该栅极的侧面形成由绝缘膜组成的制动器的工序、在所述硅衬底上掺入杂质形成源·漏极的扩散层的工序、在全区域上覆盖第1高熔点金属膜的工序、在之上所述第1高熔点金属膜上覆盖第2高熔点金属膜的工序、在不包含氮原子的环境中进行热处理在所述第1高熔点金属膜和栅极以及扩散层之间的接触界面上形成高熔点金属硅化物层的工序、除去所述第1高熔点金属膜和所述第2高熔点金属膜的工序、进行热处理将所述高熔点金属硅化物层进行由C₄₉构造变为C₅₄构造的相转移的工序，所述第2高熔点金属膜中的膜应力在1×10¹⁰dyne/cm²以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述第1高熔点金属膜为钛膜，所述第2高熔点金属膜为氮化钛膜。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述第2高熔点金属膜中的氮原子数量在钛的30％以上80％以下。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述第2高熔点金属膜中的氮原子数量在钛的45％以上55％以下。

5.根据权利要求2～4所述任一项的半导体装置的制造方法，其特征是所述在靶子中采用氮原子数量在钛的30％以上80％以下的氮化钛，通过在氩气中进行溅射形成所述第2高熔点金属膜。

6.根据权利要求2～4所述任一项的半导体装置的制造方法，其特征是采用钛作为靶子，在包含氩气和氮气的环境下通过所述靶子不被氮化的条件下进行溅射形成所述第2高熔点金属膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征是在所述靶子和衬底之间设置设有多数孔的板进行所述溅射。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征是在所述靶子和衬底之间的距离大于靶子的半径进行所述溅射。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征是所述不含氮原子的环境是指惰性气体环境或者真空环境。