[发明专利]硅－立方氮化硼薄膜的类P－N结电子器件材料及其制作方法无效
| 申请号： | 98116827.2 | 申请日： | 1998-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1063235C | 公开（公告）日： | 2001-03-14 |
| 发明（设计）人： | 赵永年;何志;邹广田 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 王恩远,崔丽娟 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 立方 氮化 薄膜 电子器件 材料 及其 制作方法 | ||
1.一种单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜构成的具有P-N结特性的电子器件材料，其特征在于，由单晶硅作衬底层，在单晶硅上沉积有纳米晶立方氮化硼薄膜，在单晶硅和纳米晶立方氮化硼薄膜间形成类P-N结。
2.按照权利要求1所述的单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜构成的具有P-N结特性的电子器件材料，其特征在于，立方氮化硼薄膜厚度为50～150nm，立方氮化硼为5～10nm尺寸的纳米晶；在P-N结的外表面镀有铝电极。
3．二种权利要求1给出的单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜类P-N结的电子器件材料的制作方法，包括最后形成欧姆接触电极的工艺过程，其特征在于，在形成欧姆接触电极之前有沉积立方氮化硼薄膜的工艺过程，即用经清洁处理的N型或P型单晶硅片作衬底，以六角氮化硼作源，置于真空室内，预抽真空至气压低于1×10-2Pa后，充入氩气至工作气压为1.0～1.5Pa，对六角氮化硼施加600～900W射频功率，经0.8～1.5小时后停机；所说的形成欧姆接触电极是采用热蒸镀方法在形成的单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜的类P-N结外表面镀铝，再在真空中加热进行渗铝。
4．按照权利要求3所述的单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜类P-N结电子器件材料的制作方法，其特征在于所说的沉积立方氮化硼薄膜的工作气压为1.3Pa，对单晶硅衬底加温至500℃所加负偏压为200V，所说的渗铝是将制得的铝-硅-立方氮化硼-铝的类P-N结在真空度为10-2Pa的真空中，加热到450℃，经4小时后取出。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
