[发明专利]晶片检测方法

权利要求书

1.一种晶片检测方法，包括下列步骤：

提供一晶片，在该晶片上已设有一晶方与一切割道，在该切割道上设有多个测试键；

提供一组数据，该组数据中包括至少一元件特性；

提供一自动程序，该自动程序用以检测所述元件特性，并开始执行该自动程序；

选择一检测模件，该检测模件电性连接多个测试键；

选择欲检测的所述元件特性，此时所述自动程序会载入所述组数据，用以参与检测的步骤；以及

将上述选择结果载入一工作站，进行并完成所述元件特性的检测动作。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述自动程序系提供一视介面，用以辅助检测所述元件特性的操作。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述组数据是一元件特性表，其中包括至少一元件特性。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述组数据是一元件特性数值范围以及对应单位表。

5.一种晶片检测方法，包括下列步骤：

提供一晶片，在该晶片上已设有一晶方与一切割道；

提供一第一组数据，该第一组数据是一元件特性表，其中包括至少一元件特性；

提供一第二组数据，该第二组数据是一元件特性数值范围以及对应单位表；

提供一自动程序，该自动程序用以检测所述元件特性；

载入所述第一组数据，并开始执行所述自动程序；

选择一检测模件，该检测模件以电性连接多个测试键，且该些测试键位于所述切割道上；

选择欲检测的所述元件特性，此时所述自动程序会再载入所述第二组数据，用以参与检测的步骤；以及

所述自动程序将上述选择结果载入一工作站，进行并完成所述元件特性的检测动作。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述自动程序系提供一视介面，用以辅助检测所述元件特性的操作。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括临界电压。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括饱和电流。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括通道区宽度偏差量。

10.如权利要求5所述的方法，其中所述元件特性包括负载电阻。