[发明专利]用于控制多相复合物微结构偏压的工艺无效
| 申请号： | 98109457.0 | 申请日： | 1998-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1211556A | 公开（公告）日： | 1999-03-24 |
| 发明（设计）人： | 凯思琳·V·罗甘 | 申请（专利权）人： | 凯思琳V·罗甘 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗才希 |
| 地址： | 美国佐*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 控制 多相 复合物 微结构 偏压 工艺 | ||
1．一种通过使第一相均匀分散在第二相而控制多相复合物微结构偏压的工艺，包括以下步骤：
a．提供一种具有平均颗粒大小小于40微米的材料的混合物；
b．在一种还原的惰性环境中按约500磅/英寸2将该混合物热压至最佳CTP温度；和
c．当达到最佳CTP温度时，将热压中的压力增加至约5000磅/英寸2，由此制备一种多相复合物。
2．如权利要求1所述的工艺，其中在混合物中使用两种材料且这两种材料按一定比例范围存在于该混合物中，使得一种或多种材料成为一种持续存在于多相复合物中的相。
3．如权利要求1所述的工艺，其中通过改变施用压力的速率来改变多相复合物的展弦比。
4．如权利要求1所述的工艺，其中至少一种所述的材料是陶瓷。
5．如权利要求4所述的工艺，其中所述的第一相是二硼化钛且所述的第二相是氧化铝。
6．如权利要求1所述的工艺，其中将所述的混合物按机械方式研磨至平均颗粒大小小于40微米。
7．一种通过使第一相包裹第二相晶粒间界而控制多相复合物微结构偏压的工艺，包括以下步骤
a．提供一种具有平均颗粒大小小于40微米的材料的混合物；和
b．在一种还原的惰性环境中按约5000磅/英寸2将该混合物热压至最佳CTP温度，由此制备一种多相复合物。
8．如权利要求7所述的工艺，其中在混合物中使用两种材料且这两种材料按一定比例范围存在于该混合物中，使得一种或多种材料成为一种持续存在于多相复合物中的相。
9．如权利要求8所述的工艺，其中通过改变施用压力的速率来改变多相复合物的展弦比。
10．如权利要求1所述的工艺，其中至少一种所述的材料是陶瓷。
11．如权利要求9所述的工艺，其中所述的第一相是二硼化钛且所述的第二相是氧化铝。
12．如权利要求7所述的工艺，其中将所述的混合物按手工方式混合或按机械方式研磨至平均颗粒大小小于40微米。
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