[发明专利]存储器区域字线解码器的解码方法及其电路

权利要求书

1．一种存储器中具有两个金属氧化物半导体晶体管的区域字线解码器的解码方法，其包括：

提供一第一晶体管和第二晶体管；

提供一第一输入和第二输入；

提供一输出；以及

提供一下电平到该第一输入，而该下电平比该第二输入的下电平低。

2．如权利要求1所述的解码方法，其中提供到该第一输入的下电平电压等于一p型基底的偏压。

3．一种区域字线解码器电路，其包括：

一第一输入，其上提供有一第一信号；

一第二输入，其上提供有一第二信号；

一输出，其上提供有一输出信号；

当该第一信号为一下电压电平，而该第二信号为一上电压电平时，则该输出能输出该输出信号；

一第一金属氧化物半导体晶体管和一第二金属氧化物半导体晶体管；

该第一信号具有一下电压电平，而此下电压电平比该第二信号的下电压电平低。

4．如权利要求3所述的电路，其中该第一输入上的该第一信号的该下电压电平比该第二输入上的该第二信号的该下电压电平低至少一临界电压。

5．如权利要求3所述的电路，其中该第一输入上的该第一信号的该下电压电平等于一p型基底电压V_bb的电压。

6．如权利要求3所述的电路，其中当该第一信号为一下电压电平及该第二信号为一下电压电平时，该第一晶体管导通。

7．如权利要求3所述的电路，其中当该第一信号为一下电压电平及该第二信号为一下电压电平时，该输出保持在一参考电位。

8．一种区域字线解码器电路，其包括：

一参考电位；

一第一输入；

一第二输入；

一输出；

一p型通道晶体管，其具有一源极-漏极路径及一栅极，该p型通道晶体管的该源极-漏极连接于该第二输入和该输出之间，该p型晶体管的该栅极连接于该第一输入；以及

一n型通道晶体管，其具有一漏极-源极路径及一栅极，该n型通道晶体管的该漏极-源极连接于该输出和该参考电位之间，该n型通道晶体管的该栅极连接于该第一输出。

9．如权利要求8所述的电路，其中该p型通道晶体管靠近于该n型通道晶体管。

10．如权利要求5所述的电路，其中该第一输入上的该第一信号的该下电压电平可由电压调整电路产生。