[发明专利]装备有减少二次电子发射的微波生成装置的微波炉无效
| 申请号: | 98103249.4 | 申请日: | 1998-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN1210225A | 公开(公告)日: | 1999-03-10 |
| 发明(设计)人: | 郑利教 | 申请(专利权)人: | 大宇电子株式会社 |
| 主分类号: | F24C7/02 | 分类号: | F24C7/02;H05B6/66 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 吴静波 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 装备 减少 二次电子 发射 微波 生成 装置 微波炉 | ||
1、一种微波炉,其中有一个蒸煮室、一个波导管和一个用来生成微波的装置;其特征在于,
该装置包含:
一个加热元件;
一个阴极,安装在加热元件上面,用来发射电子;
一个第一格栅,设置在阴极上面,用来控制和聚束由阴极发射出来的电子流,第一格栅有多个孔,用来将阴极发射的电子转换为电子束,而且第一二次电子减少装置用来降低来自于第一格栅的二次电子的发射,第一二次电子减少装置被安装在面向阴极的第一格栅的表面上;
一个扼流结构,位于阴极和第一格栅之间,用作一个隔直流电容器;
其中阴极、第一格栅和扼流结构确定了一个输入空腔,起到一个谐振回路的作用;
一个电阻器,其一端与第一格栅相连,而其另一端与阴极相连,用于在第一格栅上产生偏移电压;
一个第二格栅,设置在第一格栅之上,并且有多个孔,经过第一格栅的孔的电子束通过这些孔;
一个阳极,用于接收通过第二格栅孔的电子,阳极有一个第二二次电子减少装置以减少来自阳极的二次电子的发射,这是通过改变流向所述阳极的电子的方向而实现的,二次电子减少装置安装在面向第二格栅的阳极的表面上,其中,第二格栅和阳极确定一个输出空腔,用于产生微波,输出空腔与输入空腔电绝缘,冷却鳍片设置在阳极周围,用来冷却阳极产生的热;
一个驱动电压源,用以给阴极和阳极提供一个驱动电压,一个设置在阳极中的天线,用来抽取来自于输出空腔的微波,并通过波导管送入蒸煮室;
一个反馈结构,从输入空腔延伸到输出空腔,用以将输出空腔中的一部分微波反馈回到输入空腔。
2、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,该电阻器是一个微调电阻器。
3、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,该装置在其内部保持真空状态。
4、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,第二格栅远离第一格栅,使得通过第一格栅的孔的电子束在扩散之前在输出空腔中产生微波。
5、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,第一格栅初始偏移电压为零。
6、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,反馈结构具有棒状形状。
7、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,天线在其一端有一个环形电耦,该电耦位于输出空腔中,用以从中抽取微波。
8、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,所述第一二次电子减少装置是金属膜,该金属膜由下面一组材料中之一制成,包括铪、铂和锇。
9、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,所述第二二次电子减少装置是石墨层,该石墨层附在所述阳极上,用以吸收在那里碰撞的电子。
10、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,所述第二二次电子减少装置是多个突起,该突起基本为长方形形状。
11、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,所述第二二次电子减少装置是多个突起,该突起基本为三角形形状。
12、根据权利1所述的微波炉,其特征在于,所述第二二次电子减少装置是具有多个基本为凸面的半圆形状的突起和多个在阳极上形成的基本为半圆形的凹面体,这些凹面体与基本为凸面的半圆形突起相邻。
13、根据权利10所述的微波炉,其特征在于,石墨层在所述的第二二次电子减少装置的上面形成。
14、根据权利11所述的微波炉,其特征在于,石墨层在所述的第二二次电子减少装置的上面形成。
15、根据权利12所述的微波炉,其特征在于,石墨层在所述的第二二次电子减少装置的上面形成。
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