[发明专利]砂布表面整修工具及其生产方法

权利要求书

1、一种抛光半导体晶片的机械化学抛光法使用的砂布表面整修工具，其特征是包括平均粒子直径足够大、具有整修功能的金刚砂粒，以及在所述金刚砂粒周围平均直径比所述金刚砂粒小的粒子或者比所述金刚砂粒薄的板片。

2、如权利要求1所述的砂布表面整修工具，其中所述粒子由金刚石制成。

3、如权利要求1所述的砂布表面整修工具，其中所述粒子由非金刚石材料制成。

4、如权利要求3所述的砂布表面整修工具，其中所述粒子至少包含从下列一组材料中选择的一种：二氧化锆(ZrO₂)，三氧化二铝(Al₂O₃)，氮化硅(Si₃N₄)，立体氮化硼及甲醛聚合体塑料(Delrin)。

5、如权利要求1所述的砂布表面整修工具，其中所述板片至少包含从下列一组材料中选出一种：二氧化锆(ZrO₂)，三氧化二铝(Al₂O₃)，氮化硅(Si₃N₄)，以及立体氮化硼。

6、如权利要求1所述的砂布表面整修工具，其中所述平均直径小于金刚砂粒的粒子具有比金属粘结料(最佳选择为镍镀层)的厚度更大的尺寸。

7、如权利要求1所述的砂布表面整修工具，其中所述板片厚度大于金属粘结料(最佳选择为镍镀层)的厚度。

8、一种抛光半导体晶片的机械化学抛光法中使用的砂布表面整修工具的制备方法，其特征是包括下列步骤：

在具有不同平均粒子直径的多组金刚砂粒混合状态下电镀一薄金属层(最佳选择为镍)以便把所述金刚砂粒暂时固定在基片上；

去掉未与所述基片接触的浮起金刚砂粒；然后

电镀金属(最佳选择为镍)以形成电镀金属层的预期厚度。

9、一种抛光半导体晶片的机械化学抛光法中使用的砂布表面整修工具的制备方法，其特征是包括下列步骤：

把金刚砂粒和其它小于所述金刚砂粒的粒子在混合状态下电镀一薄金属层(最佳选择为镍)以便把所述金刚砂粒和所述其它粒子暂时固定在基片上；

去掉未与所述基片接触的浮起金刚砂粒；然后

电镀金属(最佳选择为镍)以形成电镀金属层的预期厚度。

10、一种抛光半导体晶片的机械化学抛光法中使用的砂布表面整修工具的制备方法，其特征是包括下列步骤：

透过绝缘板片开孔；

把所述板片贴附在一个基片上；并且

透过所述板片选择地在所述基片的所述孔内电镀金属(最佳选择为镍)以便把金刚砂粒仅仅固定在所述孔内。

11、一种抛光半导体晶片的机械化学抛光法中使用的砂布表面整修工具的制备方法，其特征是包括下列步骤：

通过电镀金属(最佳选择为镍)把金刚砂粒固定在基片上；并且

在最终镍镀层上形成一层保护层。

12、如权利要求10所述的整修工具的制备方法，其中所述绝缘板片至少包含从下列一组材料中选择的一种：二氧化锆(ZrO₂)，三氧化二铝(Al₂O₃)，氮化硅(Si₃N₄)，立体氮化硼及甲醛聚合体塑料(Delrin)。

13、如权利要求11所述的整修工具的制备方法，其中所述保护层至少包含从下列一组材料中选择的一种：二氧化锆(ZrO₂)，三氧化二铝(Al₂O₃)，氮化硅(Si₃N₄)，立体氮化硼及甲醛聚合体塑料(Delrin)。

14、一种抛光半导体晶片的机械化学抛光法中所用的砂布表面整修工具，其特征是包括金刚砂粒，金属(最佳选择为镍)镀层以及覆盖金属镀层的一个保护层。

15、如权利要求14所述的砂布表面整修工具，其中所述保护层至少包含从下列一组材料中选取的一种：二氧化锆(ZrO₂)，三氧化二铝(Al₂O₃)，氮化硅(Si₃N₄)，立体氮化硼，异构碳金刚石和金刚石。