[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

经由门绝缘膜(102)，在第一导电类型的半导体衬底(101)上形成的浮门(103)；

经由绝缘膜(104)形成于所述的浮门上的控制门(105)；

在所述的半导体衬底表面的所述浮门两侧，通过扩散具有第二导电类型的杂质而形成的源极和漏极区域(107，108)；

其特征在于：

形成于至少源极区域内、具第二导电类型的轻掺杂区域(107a，107c)，该掺杂区域表面暴露于远离上述浮门的位置，其掺杂量低于源极区域的掺杂量；和

形成于轻掺杂区域暴露表面的硅化物层(109)。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述的装置还包括至少在源极区域一侧在所述的浮门和所述的控制门的侧面，由绝缘膜构成的侧壁(106)，以及

轻掺杂区域在距离上述浮门一个侧壁壁厚的位置形成。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述的装置还包括在源极区域内，在远离所述浮门的位置，形成的深度大于源极区域的凹槽(502)，以及

在槽底部形成轻掺杂区域以连接源极区域。

4.根据权利要求3所述的装置，其中形成于所述半导体衬底上的凹槽深度要大于具有最大杂质分布的深度。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述浮门，所述控制门，所述漏极，所述源极，所述轻掺杂区域和硅化物层构成一个存储单元。

6.根据权利要求5所述的装置，还包括：

多个共用所述源极的存储单元组成的存储单元阵列；

共用源极区域，其中构建存储单元阵列的所述存储单元的源极区域是连续形成的；

在共用源极区域形成于所述硅化物层上的源极接触端(108b)，所述的源极接触端通过所述硅化物层和轻掺杂区域与共用源极区域电连接；以及

多个在所述存储单元的漏极区域内分别形成的漏极接触端(107b)。