[发明专利]透光窗户层发光二极管无效
| 申请号： | 98100911.5 | 申请日： | 1998-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1229281A | 公开（公告）日： | 1999-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈锡铭;欧思村 | 申请（专利权）人： | 台湾光宝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘世长 |
| 地址： | 台湾省台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光 窗户 发光二极管 | ||
1、一种透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的透光窗户层发光二极管包括：一导电性半导体基板，该导电性半导体基板背面形成有一第一电极；一第一导电性磷化铝铟镓限制层，该第一导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性半导体基板上；一导电性磷化铝铟镓活化层，该导电性磷化铝铟镓活化层形成于该第一导电性磷化铝铟镓限制层上；一第二导电性磷化铝铟镓限制层，该第二导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性磷化铝铟镓活化层上；一导电性磷化铝铟镓超晶格，该导电性磷化铝铟镓超晶格形成在该第二导电性磷化铝铟镓限制层上，该导电性磷化铝铟镓超晶格次导带与次价带上的能量差比该导电性磷化铝铟镓活化层能量大；一导电性欧姆接触层，该导电性欧姆接触层形成于该导电性磷化铝铟镓超晶格上；及一第二电极，该第二电极形成于该导电性欧姆接触层上。
2、根据权利要求1所述的透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的导电性半导体基板是一砷化镓基板。
3、根据权利要求1所述的透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的导电性半导体基板与第一导电性磷化铝铟镓限制层间还包括一布拉格反射层。
4、根据权利要求1所述的透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的第二电极是一金属电极。
5、一种透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的透光窗户层发光二极管包括：一导电性半导体基板，该导电性半导体基板背面形成有一第一电极；一第一导电性磷化铝铟镓限制层，该第一导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性半导体基板上；一导电性磷化铝铟镓活化层，该导电性磷化铝铟镓活化层形成于该第一导电性磷化铝铟镓限制层上；一第二导电性磷化铝铟镓限制层，该第二导电性磷化铝铟镓限制层形成于该导电性磷化铝铟镓活化层上；一第一导电性磷化铝铟镓超晶格，该第一导电性磷化铝铟镓超晶格形成在该第二导电性磷化铝铟镓限制层上，该第一导电性磷化铝铟镓超晶格次导带与次价带上的能量差比该导电性磷化铝铟镓活化层能量大；一磷化铝铟镓层，该磷化铝铟镓层形成于该第一导电性磷化铝铟镓超晶格上；一第二导电性磷化铝铟镓超晶格，该第二导电性磷化铝铟镓超晶格形成在该磷化铝铟镓层上，该第二导电性磷化铝铟镓超晶格次导带与次价带上的能量差比该导电性磷化铝铟镓活化层能量大；一导电性欧姆接触层，该导电性欧姆接触层形成于该第二导电性磷化铝铟镓超晶格上；及一第二电极，该第二电极形成于该导电性欧姆接触层上。
6、根据权利要求5所述的透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的导电性半导体基板是一砷化镓基板。
7、根据权利要求5所述的透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的导电性半导体基板与第一导电性磷化铝铟镓限制层间还包括一布拉格反射层。
8、根据权利要求5所述的透光窗户层发光二极管，其特征在于：所述的第二电极是一金属电极。
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