[发明专利]半导体器件成膜方法

权利要求书

1，一种加工方法，即将半导体基片放进一个化学气相淀积设备的反应室内，反应室保持在预定的压力和温度，从而在半导体基片上生成薄膜，一种采用乙硅烷作为主要材料气体的为半导体器件成膜的方法。

2，根据权利要求1所述的方法，其中，薄膜是指氧化膜、氮化膜、氧氮化膜、硼磷硅玻璃(BPSG)膜、磷硅玻璃(PSG)膜以及硅化钨膜中的一种。

3，根据权利要求2所述的方法，其中，一种生成氧化膜的方法是采用乙硅烷和氧化氮(N₂O)，适用化学气相淀积(CVD)设备。

4，根据权利要求3所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是低压化学气相淀积(LPCVD)设备，反应室内的温度范围为500至800℃，压力范围为0.1至9乇。

5，根据权利要求3所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是等离子体增强气相淀积(PCVD)设备，反应室内的温度范围为150至750℃，压力范围为0.1至9乇。

6，根据权利要求2所述的方法，其中，生成氧化膜的方法是采用乙硅烷和氧(O₂)，适用化学气相淀积(CVD)设备。

7，根据权利要求6所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是低压化学气相淀积(LPCVD)设备，反应室内的温度范围为300至700℃，压力范围为0.1至9乇。

8，根据权利要求6所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是常压化学气相淀积(APCVD)设备，反应室内的温度范围为200至650℃，压力为大气压。

9，根据权利要求2所述的方法，其中，生成氮化膜的方法采用乙硅烷和氨(NH₃)，适用化学气相淀积(CVD)设备。

10，根据权利要求9所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是低压化学气相淀积(LPCVD)设备，反应室内的温度范围为350至800℃，压力范围为0.1至9乇。

11，根据权利要求9所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是等离子体化学气相淀积(PCVD)设备，反应室内的温度范围为150至750℃，压力范围为0.1至9乇。

12，根据权利要求2所述的方法，其中，生成氧氮化膜的方法采用乙硅烷、氨(NH₃)以及氧化氮(N₂O)，适用化学气相淀积(CVD)设备。

13，根据权利要求12所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是低压化学气相淀积(LPCVD)设备。反应室内的温度范围为350至800℃，压力范围为0.1至9乇。

14，根据权利要求12所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是等离子体化学气相淀积(PCVD)设备，反应室内的温度范围为150至750℃，压力范围为0.1至9乇。

15，根据权利要求2所述的方法，其中，生成硼磷硅玻璃膜的方法采用乙硅烷、磷化氢(PH₃)、氧(O₂)、以及四甲基原硼酯，或采用乙硅烷、四甲基原亚磷酯、O₂、以及四甲基原硼酯，适用化学气相淀积(CVD)设备。

16，根据权利要求15所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是低压化学气相淀积(LPCVD)设备，反应室内的温度范围为250至800℃，压力范围为0.1至9乇。

17，根据权利要求15所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是等离子体化学气相淀积(PCVD)设备，反应室内的温度范围为150至750℃，压力范围为0.1至9乇。

18，根据权利要求15所述的方法，其中，所述的化学气相淀积设备是常压化学气相淀积(APCVD)设备，反应室内的温度范围为200至650℃，压力为大气压。

19，根据权利要求2所述的方法，其中，生成磷硅玻璃膜的方法是采用乙硅烷、氧(O₂)、以及磷化氢(PH₃)，或采用乙硅烷、氧(O₂)、以及四甲基原亚磷酯，适用化学气相淀积(CVD)设备。