[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 98100465.2 申请日: 1998-02-27
公开(公告)号: CN1195866A 公开(公告)日: 1998-10-14
发明(设计)人: 杉林直彦 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C21/00 分类号: G11C21/00;G11C11/34
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件,包括主字线、每个由所述主字线激活的第一和第二存储区、激活指示所述第一和第二存储区中至少一个有缺陷的第一信号的第一电路、激活指示所述第一存储区有缺陷的第二信号的第二电路、激活指示所述第二存储区有缺陷的第三信号的第三电路,以及当所述第一和第二信号中一个被激活时使所述第一存储区无效并且当所述第一和第三信号中的一个被激活时使所述第二存储区无效的电路。

2.根据权利要求1的半导体存储器件,还包括当所述第一和第二存储区域中至少一个被无效时,转换至少部分行地址和部分列地址的转换电路。

3.一种半导体存储器件,包括:

第一和第二存储部分,所述第一和第二存储部分各包括多个存储单元,分别对应于第一和第二列地址选择所述的第一和第二存储部分;

第一主字驱动器,根据第一行地址激活第一主字线,所述第一主字线延长到所述第一和第二存储部分;

第二主字线驱动器,根据第二行地址激活第二主字线,所述第二主字线延长到第一和第二存储部分;

控制信号发生器,产生控制信号显示至少所述第一和第二存储部分中存在缺陷;以及

地址转换电路,根据所述控制信号将所述第一行地址转换为所述第一列地址,并将所述第二行地址转换为所述第二列地址。

4.根据权利要求3的半导体存储器件,其中在刷新周期期间,所述地址转换电路未被激活。

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