[实用新型]无电极低压荧光灯无效

专利信息
申请号: 97241397.9 申请日: 1997-10-17
公开(公告)号: CN2305752Y 公开(公告)日: 1999-01-27
发明(设计)人: 张平平;卢圭锡 申请(专利权)人: 中国科学院武汉物理与数学研究所
主分类号: H01J65/00 分类号: H01J65/00;H01J11/00
代理公司: 中国科学院武汉专利事务所 代理人: 王敏锋
地址: 430071*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电极 低压 荧光灯
【说明书】:

本实用新型属于一种放电荧光灯,更具体涉及一种无电极低压荧光灯。

目前国内外公开了以下几种放电荧光灯,一种是菲利浦光灯制造公司申请中国专利,专利申请号为89101293.1“无电极低压放电灯”,它是一种具有玻璃泡壳的无电极低压放电灯,在泡壳内至少充一种金属蒸气及一种稀有气体,并且按气密方式封接,把放电灯连接到高频功率源组件并且在泡壳内产生放电的第一线圈,第一线圈的供电线之一连接到延伸在第一线圈区域内并有一自由端的第二线圈的供电线,工作期间,第一线圈两端之间的电位梯度大体上等于第二线圈两端之间的电位梯度,其特征是两根点火天线固定在第二线圈的自由端和第一线圈的一端,天线放入凹套内,在棒形芯子的两侧平行所述芯子的纵轴而延伸,天线至少延伸在锥形壁部分的外壁上,天线呈铝带线,粘结在壁上并且位于互相面对的位置。这种灯产生电磁干扰,由其工作原理所决定,无电极低压荧光灯中的工作线圈会向空中发射出干扰其它设备工作的电磁干扰,高频功率单元则会通过供电线向周围发射出电磁干扰,这种技术方案在抑制直接空间幅射干扰上无明显效果;另一种是浙江大学申请中国专利,专利号为95225667.3“感应放电荧光灯”,它以真空密封方式封闭,其内充有供电离的金属汽化物和稀有气体,内壁涂覆一层荧光粉的放电泡,在其底端有个凹的空腔,卷绕在合成材料制成的套筒上头,位于空腔内的感应线圈,装在套筒内与感应线圈里外对应的软磁材料制成的管状铁芯,一头在管状铁芯中的另一头同套筒一起伸出空腔外并与散热支座固连装有液体的密闭管状容器,输出端与感应线圈连接的高频电源,装有液体的密闭管状容器为吸液芯热管,放电泡外表面涂覆一层接地的导电膜,放电泡的外形为卵圆形。这种感应放电荧光灯很难保证导电膜的合适体电阻以及难找到真正的高频零电位点而不易起到抑制空间电磁干扰。

本实用新型的目的是提供了一种无电极低压荧光灯,在泡壳内腔设有天线,天线与线圈相连,结构简单,抑制了空间电磁干扰。

为达到上述的目的,本实用新型采用以下技术措施:无电极低压荧光灯包括一玻璃泡壳及置于中心的凹腔,泡壳内充有稀有气体和金属汞蒸汽,并按全密封方式封接,泡壳内壁和凹腔朝向泡壳内壁一侧的壁上涂有高效三基色荧光粉,凹腔内放置有绕在磁性套筒上且由高频功率单元供电的工作线圈,同绕在磁性套筒上的第二线圈,工作线圈与第二线圈的圈数相等,且第二线圈的一端与工作线圈的非对应端相连,另一端悬空成为自由端,其特征是在第二线圈的自由端圆周的径向对称点上连接二至四根与磁性套筒轴向平行的天线。

图1为无电极低压荧光灯结构示意图。

图2为无电极低压荧光灯线圈结构示意图。

下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述:

根据图1、图2可知,泡壳1和凹腔2由专用作照明用的玻璃制成,泡壳1与凹腔2由气密方式封接,其中充有金属汞和氩气,泡壳1内壁和凹腔2朝向泡壳1一侧的壁上涂有高效三基色荧光粉,工作线圈4和第二线圈5同绕在由磁性材料制成的磁性套筒7上,工作线圈4的二端分别接到并通过灯座9的高频功率单元的两个输出端,第二线圈5的一端与工作线圈4的非对应端相连接,第二线圈5的另一端悬空而成为自由端,工作线圈4与第二线圈5的圈数相等,这样可保证工作线圈4和第二线圈5两端的电位梯度基本相等。天线3和天线6分别连接到第二线圈5自由端经向对称点处,并与磁性套筒7轴向平行且一起置于凹腔2内。使天线向空间发射的电磁场与由工作线圈直接向空中发射的电磁场的相位相反,从而起到抑制空间电磁干扰的作用。工作线圈4的两端10、20分别与高频功率单元输出端相连接,其中工作线圈4的一端20与高频功率单元的地端相连接。为了便于将磁性套筒7在工作过程中产生的损耗热导出以维持磁性材料的正常工作条件,磁性套筒7被套在金属制成的导热棒8上,导热棒8与灯座9连接,以便将导出的热散逸到周围空气中。

本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:结构简单,使用寿命长,光效强,比一般普通白炽灯提高4-6倍,节能显著,尤其可降低空间干扰6-10dB(uv/m),可广泛适用于水下、建筑装饰领域。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院武汉物理与数学研究所,未经中国科学院武汉物理与数学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97241397.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top