[实用新型]一种甚高频频率合成器无效

专利信息
申请号: 97239606.3 申请日: 1997-05-12
公开(公告)号: CN2299423Y 公开(公告)日: 1998-12-02
发明(设计)人: 王丹妮;陈淑芳;边玉敏 申请(专利权)人: 中国科学院陕西天文台
主分类号: H03B21/00 分类号: H03B21/00
代理公司: 中国科学院西安专利事务所 代理人: 任越
地址: 710600 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 甚高频 频率 合成器
【权利要求书】:

1.一种甚高频频率合成器,是由两个锁相环电路组成,其特征在于,第一锁相环电路由混频器(2)、鉴相器(3)和集成压控振荡器VCO1联接而成,第二锁相环电路由鉴相器(4)、分频器(5、6)、可编程分频器(7)以及低噪声场效应晶体管LC振荡器VCO2联接而成;在第二锁相环电路中晶体参考(1)产生的本振信号经分频器(6)分频后作为鉴相器(4)的一个输入,低噪声场效应晶体管LC振器VCO2的输出信号经分频器(5)、可编程分频器(7)分频后作为鉴相器(4)的另一输入,其鉴相结果控制低噪声场效应晶体管LC振荡器VCO2的振荡频率,完成其控制范围的信号合成;在第一锁相环电路中,晶体参考(1)本振信号与集成压控振荡器VCO1输出信号在混频器(2)中混频后,又与分频器(5)的输出信号在鉴相器(3)中进行比较鉴相,鉴相结果用来控制集成压控振荡器VCO1的振荡频率,从而完成与晶体参考本振信号的相加,输出最终合成信号fo。

2.根据权利要求1所述的合成器,其特征在于,第二锁相环电路中,低噪声场效应晶体管LC振荡器VCO2中联接有低噪声的场效应管D′和结电容小且电调率变化大的变容二极管D1′以及具有正负温度系数的反馈电容C3′。

3.根据权利要求1所述的合成器,其特征在于,第一锁相环电路中混频器(2)采用双平衡模拟乘法器,在混频器(2)之前设置有为其提供最佳混频特性的驱动电平和为混频器(2)两个输入端口之间提供一定隔离度的隔离放大器(8),隔离放大器(8)是由共发—共基电路组成。

4.根据权利要求1所述的合成器,其特征在于,可编程分频器(7)采用变模分频技术,其线路是由ECL电路(U18~U20)和TTL电路(U13~U17)混合组成,其中速度相对慢一些的TTL可编程计数器(U13~U17)控制ECL电路中的双模数前置分频器(U18、U20)。

5.根据权利要求1或4所述的合成器,其特征在于,所述的可编程分频器(7)中,信道的选择采用可逆计数器控制,同时可编程分频器(7)的外围联接有控制电路(9)使可逆计数器在加减两个方向上按每步增量加以改变,并在规定的可逆计数器计数范围的两端设置有自动锁定电路(11)。

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