[实用新型]薄膜型光源无效
申请号: | 97201208.7 | 申请日: | 1997-02-05 |
公开(公告)号: | CN2306386Y | 公开(公告)日: | 1999-02-03 |
发明(设计)人: | 赵振寰 | 申请(专利权)人: | 赵振寰 |
主分类号: | F21K2/08 | 分类号: | F21K2/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100086 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 光源 | ||
本实用新型涉及一种无机及有机的薄膜型光源,主要用于大面积的标志字牌及屏幕显示等特殊照明领域。
目前,光源已成为人们生活中不可缺少的组成部分。虽然应用广泛,品种繁杂,但一般都属于点光源或线光源,它们都存在着结构复杂,体积庞大,表面亮度不均匀,并且伴随着大量的辐射热等弊病。
鉴于上述已有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种薄膜型光源,并且提出了用于实施这种光源的一整套工艺方法。
为了进一步说明本实用新型,现以附图的方式加以阐述,该图为实施本实用新型薄膜型光源的结构示意图。
下面结合附图,对本实用新型的薄膜型光源的结构作详细说明:
本实用新型的薄膜型光源,由基板及多层薄膜组成,其特征在于,基板1上有导电层3,导电层3上有反射层4,反射层4上有发光层5,发光层5上有透明导电层6,透明导电层6上透明保护层7,在导电层3和透明导电层6上分别焊有电极2及电极8,由电极2及电极8分别引线接至市电电源9。
反射层4是由TiO2薄膜构成,膜厚为200-1000埃。
发光层5是由ZnS薄膜构成,调节膜厚,可获得不同颜色的亮光。
其中:小于150埃时为白色光;
160-180埃为黄色光; 210-240埃为红色光;
250-320埃为兰色光; 420-500埃为绿色光。
导电层3和透明导电层6是由In2O3薄膜构成,其工作温度为100-300℃,电阻为300-500Ω/cm。
透明保护层7是由透明有机硅薄膜构成,膜厚为100um。
现将制作要领通过实例说明如下:实施例1:制备一种以玻璃为基板的绿色薄膜型光源,可按下述规范实施:
(1)严格清洗工件。
(2)采用离子镀设备,在真空度为5×10-3Pa时,镀制In2O3透明导电膜,施镀时间为3分钟。
(3)启动Ti靶,反应溅射制备TiO2薄膜,控制其膜厚为500埃。
(4)启动ZnS靶,当工件呈土黄色时,即停止溅射。
(5)启动铟锡靶,工作温度为300℃,时间为3分钟。
(6)制作电极。
(7)喷涂有机硅保护膜。
(8)测试合格,即成为发光均匀的绿色薄膜型光源。实施例2:制备一种以搪瓷为基板的红色薄膜型光源,可按下述规范实施:
(1)严格清洗工件。
(2)在搪瓷正面直接溅射TiO2薄膜,控制膜厚为200埃。
(3)溅射ZnS薄膜,在工件呈悦目的紫红色时停止溅射。
(4)镀制In2O3透明导电膜,工作温度为300℃,时间为3分钟。
(5)以搪瓷中铁板为一极,透明导电膜为另一极,制作电极。
(6)喷涂有机硅保护膜。
(7)测试合格,即成为发光均匀的红色薄膜型光源。实施例3:制备一种以塑料为基板的兰色薄膜型光源,可按下述规范实施:
(1)严格清洗工件。
(2)制备In2O3导电层,其工作温度不应高于100℃,施镀时间为3分钟。
(3)制备TiO2反射层,控制膜厚为500埃。
(4)制备ZnS发光层,当工件呈银灰色时,停止溅射。
(5)制备In2O3透明导电层,其工作温度不应高于100℃,施镀时间为3分钟。
(6)制作电极。
(7)测试合格,即成为发光均匀的兰色薄膜型光源。
本实用新型与现有技术相比,具有结构简单,体积小而薄,发光面积大发光均匀,无热效应的特点,摆脱了点状光源或线状光源所受到的限制,从而为复杂形状的光源制造带来了方便;同时,比等离子体光源的耗电省,比液晶显示器件的响应速度快、显示精度高。因此,本实用新型更适于在大屏幕显示领域中使用。此外,本实用新型的基板材质适用范围广泛,不仅可用玻璃、陶磁、搪瓷等无机材料,也可采用塑料、玻璃钢等有机材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赵振寰,未经赵振寰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97201208.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。