[实用新型]薄膜型光源无效

专利信息
申请号: 97201208.7 申请日: 1997-02-05
公开(公告)号: CN2306386Y 公开(公告)日: 1999-02-03
发明(设计)人: 赵振寰 申请(专利权)人: 赵振寰
主分类号: F21K2/08 分类号: F21K2/08
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地址: 100086 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 光源
【说明书】:

实用新型涉及一种无机及有机的薄膜型光源,主要用于大面积的标志字牌及屏幕显示等特殊照明领域。

目前,光源已成为人们生活中不可缺少的组成部分。虽然应用广泛,品种繁杂,但一般都属于点光源或线光源,它们都存在着结构复杂,体积庞大,表面亮度不均匀,并且伴随着大量的辐射热等弊病。

鉴于上述已有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种薄膜型光源,并且提出了用于实施这种光源的一整套工艺方法。

为了进一步说明本实用新型,现以附图的方式加以阐述,该图为实施本实用新型薄膜型光源的结构示意图。

下面结合附图,对本实用新型的薄膜型光源的结构作详细说明:

本实用新型的薄膜型光源,由基板及多层薄膜组成,其特征在于,基板1上有导电层3,导电层3上有反射层4,反射层4上有发光层5,发光层5上有透明导电层6,透明导电层6上透明保护层7,在导电层3和透明导电层6上分别焊有电极2及电极8,由电极2及电极8分别引线接至市电电源9。

反射层4是由TiO2薄膜构成,膜厚为200-1000埃。

发光层5是由ZnS薄膜构成,调节膜厚,可获得不同颜色的亮光。

其中:小于150埃时为白色光;

      160-180埃为黄色光;  210-240埃为红色光;

      250-320埃为兰色光;  420-500埃为绿色光。

导电层3和透明导电层6是由In2O3薄膜构成,其工作温度为100-300℃,电阻为300-500Ω/cm。

透明保护层7是由透明有机硅薄膜构成,膜厚为100um。

现将制作要领通过实例说明如下:实施例1:制备一种以玻璃为基板的绿色薄膜型光源,可按下述规范实施:

(1)严格清洗工件。

(2)采用离子镀设备,在真空度为5×10-3Pa时,镀制In2O3透明导电膜,施镀时间为3分钟。

(3)启动Ti靶,反应溅射制备TiO2薄膜,控制其膜厚为500埃。

(4)启动ZnS靶,当工件呈土黄色时,即停止溅射。

(5)启动铟锡靶,工作温度为300℃,时间为3分钟。

(6)制作电极。

(7)喷涂有机硅保护膜。

(8)测试合格,即成为发光均匀的绿色薄膜型光源。实施例2:制备一种以搪瓷为基板的红色薄膜型光源,可按下述规范实施:

(1)严格清洗工件。

(2)在搪瓷正面直接溅射TiO2薄膜,控制膜厚为200埃。

(3)溅射ZnS薄膜,在工件呈悦目的紫红色时停止溅射。

(4)镀制In2O3透明导电膜,工作温度为300℃,时间为3分钟。

(5)以搪瓷中铁板为一极,透明导电膜为另一极,制作电极。

(6)喷涂有机硅保护膜。

(7)测试合格,即成为发光均匀的红色薄膜型光源。实施例3:制备一种以塑料为基板的兰色薄膜型光源,可按下述规范实施:

(1)严格清洗工件。

(2)制备In2O3导电层,其工作温度不应高于100℃,施镀时间为3分钟。

(3)制备TiO2反射层,控制膜厚为500埃。

(4)制备ZnS发光层,当工件呈银灰色时,停止溅射。

(5)制备In2O3透明导电层,其工作温度不应高于100℃,施镀时间为3分钟。

(6)制作电极。

(7)测试合格,即成为发光均匀的兰色薄膜型光源。

本实用新型与现有技术相比,具有结构简单,体积小而薄,发光面积大发光均匀,无热效应的特点,摆脱了点状光源或线状光源所受到的限制,从而为复杂形状的光源制造带来了方便;同时,比等离子体光源的耗电省,比液晶显示器件的响应速度快、显示精度高。因此,本实用新型更适于在大屏幕显示领域中使用。此外,本实用新型的基板材质适用范围广泛,不仅可用玻璃、陶磁、搪瓷等无机材料,也可采用塑料、玻璃钢等有机材料。

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