[发明专利]从脂族烃制备芳族化合物的方法

权利要求书

1.一种具有2-6个碳原子的脂族烃脱氢环化低聚制备芳烃的方法，该方法包括在脱氢环化低聚条件下含有脂族烃的进料物流与沸石粘结沸石的催化剂接触，该沸石粘结沸石的催化剂含以第一和第二沸石的总重量计小于10％(重量)的非沸石粘结剂并含有：

(a)具有酸活性的中等孔径第一沸石的第一晶体；和

(b)含有比第一沸石具有更低酸活性的第二沸石的第二晶体的粘结剂。

2.根据权利要求1的方法，其中第二晶体是交互生长的并在第一晶体上形成至少部分包层。

3.根据权利要求1或2的方法，其中以第一沸石和第二沸石的合并重量计，催化剂含有少于5％(重量)的非沸石粘结剂。

4.根据权利要求1的方法，其中第一晶体的平均粒径为至少0.1微米，第二晶体的平均粒径小于第一晶体的平均粒径。

5.根据权利要求4的方法，其中第一晶体的平均粒径为1-6微米，第二晶体的平均粒径为0.1-0.5微米。

6.根据权利要求1的方法，其中第一分和第二沸石独立的是硅铝酸盐沸石或硅酸镓沸石。

7.根据权利要求6的方法，其中第一沸石是具有氧化硅与氧化铝的摩尔比为20∶1-300∶1的硅铝酸盐沸石。

8.根据权利要求6或7的方法，其中第二沸石是具有氧化硅与氧化铝的摩尔比大于200∶1的硅铝酸盐沸石。

9.根据权利要求8的方法，其中第二沸石是中等孔径沸石。

10.根据权利要求1的方法，其中第一沸石的结构类型选自AEL，MFI，MEL，MTW，MTT，FER，TON和EUO。

11.根据权利要求10的方法，其中第一沸石具有MFI结构。

12.根据权利要求1的方法，其中第二沸石具有MFI或MEL结构。

13.根据权利要求12的方法，其中第二沸石的结构类型与第一沸石相同。

14.根据权利要求13的方法，其中第二沸石是硅质岩或硅质岩2。

15.根据权利要求1的方法，其中第一沸石是SAPO-11。

16.根据权利要求1的方法，其中第二沸石是ALPO-11。

17.根据权利要求1的方法，其中催化剂含有至少一种选自元素周期表的IIB-IVB族金属组分。

18.根据权利要求1的方法，其中催化剂被选择性化。

19.根据权利要求18的方法，其中用含有硅化合物的选择性化试剂选择性化催化剂。

20.根据权利要求1的方法，其中可通过在升高的温度下在含有羟基离子的含水离子溶液中老化含有第一沸石的第一晶体的氧化硅粘结的聚集体制备催化剂。

21.根据权利要求1的方法，其中脂族烃包括异丁烷、正丁烷、异丁烯、正丁烯、丙烷或丙烯。

22.根据权利要求1的方法，其中脱氢环化低聚反应条件包括温度为350-650℃和/或压力为0.1-2.03MPa(1-20大气压)和/或液时空速为每小时每体积催化剂组合物0.2-5液体体积脂族烃。