[发明专利]改进雾气和雾气流性质的雾化前体沉积设备和方法

权利要求书

1、用于制备集成电路(1110)的设备(1)，所说的设备含有：

(a)一个沉积室(2)；

(b)位于所说沉积室中的一个基体(5)，所说的基体确定了基体平面；

(c)用于产生液态前体(64)的雾气(66)的装置(46-1)；

(d)用于使所说雾气流经所说沉积室以在所说基体上形成一层前体液体的装置(8,10)；和

(e)在所说雾气流经所说沉积室之前用于降低所说雾气中微粒尺寸的装置(33,40)。

2、权利要求1的设备，其中所说的用于降低所说雾气中微粒尺寸的装置含有一个所说雾气流经其中的缓冲室(42)，所说缓冲室位于所说的用于产生雾气的装置(46-1)和所说的使雾气产生流动的装置(8,10)之间。

3、权利要求1的设备，其中所说的用于降低所说雾气中微粒尺寸的装置含有一个用于过滤所说雾气的过滤器(33)。

4、一种制备集成电路(1110)的方法，所说方法包括以下步骤：

(a)提供一种液态前体(64)；

(b)将一个基体(5)放入一封闭的沉积室(2)中；

(c)产生所说液态前体的一种雾气(66)；

(d)降低所说雾气的微粒尺寸；

(e)使所说微粒尺寸降低的雾气流经所说沉积室以在所说基体上形成一层前体液体；

(f)处理沉积在基体上的液层以形成一固体物质的薄膜(1130)；和

(g)完成所说集成电路(1110)的制备以使所说集成电路的一个元件(1112)中包含所说固体物质薄膜(1130)的至少一部分。

5、权利要求4的一种方法，其中所说的降低雾气微粒尺寸的步骤包括使所说雾气流经一个缓冲室(42)。

6、权利要求4的一种方法，其中所说的降低雾气微粒尺寸的步骤包括过滤所说的雾气。

7、权利要求2的设备或权利要求5的方法，其中所说的缓冲室含有一个大到足以使可能引发表面形态缺陷的雾化微粒在所说缓冲室中沉降下来的容器。

8、权利要求2的设备或权利要求5的方法，其中所说缓冲室大到足以使微粒尺寸大于2微米的(雾化微粒)在所说缓冲室中沉降下来。

9、权利要求3的设备或权利要求6的方法，其中所说的过滤器含有一不锈钢筛网(310)。

10、权利要求3的设备或权利要求6的方法，其中所说的筛网含有不大于1微米的滤孔(315)。

11、权利要求1的设备或权利要求6的方法，其中所说的设备包括用于在所说沉积室(2)中的一个部件(6)与所说基体(5)之间施加一直流电偏压的一组装置(102,104,106)，或所说的方法包括在所说的使雾气流动的步骤中在所说沉积室内的一个部件与所说基体之间施加一直流电偏压的步骤。

12、用于制备集成电路(1110)的设备(1)，所说的设备含有：

(a)一个沉积室(2)；

(b)位于所说沉积室中的一个基体(5)，所说的基体确定了基体平面；

(c)用于产生液态前体(64)的雾气(66)的装置(46-1)；和

(d)用于使所说雾气流经所说沉积室，沿与所说基体平面基本平行的方向均匀地通过所说基体以在所说基体上形成液态前体的一层薄膜的装置(8,10)，其中所说使雾气产生流动的装置包括置于所说基体之上，与所说基体相互隔开并基本平行的一个阻隔板(6)，在与所说基体平行的平面上的所说阻隔板的面积与在所说基体平面上的所说基体的面积基本相同。

13、用于制备集成电路(1110)的设备(2)，所说的设备包括：

(a)一个沉积室(2)；

(b)位于所说沉积室中的一个基体(5)，所说的基体确定了基体平面；

(c)用于产生液态前体(64)的雾气(66)的装置(46-1)；和

(d)用于使所说雾气流经所说沉积室，沿与所说基体平面基本平行的方向均匀地通过所说基体以在所说基体上形成液态前体的一层薄膜的装置(8,10)，其中所说使雾气产生流动的装置包括置于所说基体之上，与所说基体相互隔开并平行的一个阻隔板(6)，所说阻隔板的平整度的容许偏差为所说阻隔板和所说基体之间平均距离的5％。