[发明专利]相变型光记录介质的设计方法及相变型光记录介质

权利要求书

1．一种相变型记录介质的设计方法，其中相变型记录介质利用激光照射进行信息的记录、擦除和再生，并包括由至少包括Ge、Sb、Te的合金构成的、根据照射激光的强度在晶态和非晶态间发生可逆相变的记录层以及支持该记录层的基板，其特征在于：

在该记录层的激光入射侧的界面处反射波与入射波的强度比(Rra：记录层为非晶态时，Rrc：记录层为晶态时)在上述记录层为晶态和非晶态时，同时满足式(1)、式(2)和式(3)：

Rra-Rrc≥-0.2         (1)

Rra-0.9×Rrc≤0.05    (2)

Rra+Rrc≥0.18         (3)。

2．一种相变型记录介质，利用激光照射进行信息的记录、擦除和再生，并包括由至少包括Ge、Sb、Te的合金构成的、根据照射激光的强度在晶态和非晶态间发生可逆相变的记录层以及支持该记录层的基板，其特征在于：

在上述记录层的激光入射侧的界面上设置由折射率n和衰减系数k同时满足式(4)、式(5)、式(6)的材料构成的界面反射控制层：

k≥0.22n+0.14    (4)

k≤0.88n-0.19    (5)

n≤2.8           (6)。

3．一种相变型记录介质，利用激光照射进行信息的记录、擦除和再生，并包括由至少包括Ge、Sb、Te的合金构成的、根据照射激光的强度在晶态和非晶态间发生可逆相变的记录层以及支持该记录层的基板，其特征在于：

在上述记录层的正下方和正上方设置界面反射控制层，设置在该记录层的激光入射侧的第一界面反射控制层由折射率n_i1和衰减系数k_i1同时满足式(7)、式(8)和式(9)的材料构成，设在与该记录层的激光入射侧相反一侧的第二界面反射控制层由折射率n_i2和衰减系数k_i2同时满足式(10)、式(11)和式(12)的材料构成：

k_i1≥0.15ni          (7)

k_i1≤0.6ni           (8)

n_i1≤3.0             (9)

k_i2≥0.35            (10)

k_i2≤1.06n_i2+0.25    (11)

k_i2≥n_i2-3.8         (12)。

4．一种权利要求2或3记载的相变型记录介质，其特征在于：

界面反射控制层由从金属、亚金属或半导体的氧化物、硫化物、氮化物、碳化物及氟化物构成的组中选择的至少一种的含氧、硫、氮、碳和氟不足的不定比化合物构成。

5．一种权利要求2或3记载的相变型记录介质，其特征在于：

界面反射控制层由从含硫不足的硫化亚铅的不定比化合物、含氮不足的氮化铅的不定比化合物或含碳不足的碳化硅的不定比化合物构成。

6．一种权利要求2～5之一记载的相变型记录介质，其特征在于：在与记录层的激光入射侧的界面相接的界面反射控制层和基板之间设有由介电体材料构成的保护层。

7．一种权利要求2～6之一记载的相变型记录介质，其特征在于：

在与记录层的激光入射侧的界面相接的界面反射控制层和基板之间设有热扩散层，它由从氮化铝，氮化硼、氮化钛、氮化钽、碳、碳化硅、碳化钛、碳化钽、碳化钨、氧化铝、氧化锰、溴化锆、MoSi₂、金属，亚金属，半导体中选择的材料构成。