[发明专利]低压汞放电灯无效
| 申请号: | 97191170.3 | 申请日: | 1997-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN1199415A | 公开(公告)日: | 1998-11-18 |
| 发明(设计)人: | D·范德沃尔特;H·C·G·维哈;J·W·F·多尔雷恩 | 申请(专利权)人: | 菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号: | C09K11/77 | 分类号: | C09K11/77;C09K11/63;//H01J61/44 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邰红,杨九昌 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 低压 电灯 | ||
1.一种备有放电容器(1;11)的低压汞放电灯,该容器以气密的方式包围着放电空间(2;12),其中充有含汞的填充物,所述灯还包括用于在该放电空间中维持放电的器件(3a、3b;13),该放电容器备有发光层(5;15a、15b),所述灯在工作期间所发出光的光谱基本上由第一波长段590~630纳米的辐射、第二波长段520~565纳米的辐射以及第三波长段430~490纳米的辐射构成,其特征在于,590~600纳米波长区间的辐射占到整个第一波长段总辐射功率的至少25%相对功率。
2.如权利要求1所要求的低压汞放电灯,其特征在于,所述相对功率为至少50%,而且600~620纳米波长区间辐射的相对功率为590~600纳米波长区间辐射的相对功率的0.2~1.0倍。
3.如权利要求1或2所要求的低压汞放电灯,其特征在于,用于发射第一波长段辐射的发光层包含一种发光材料,它包括基质晶格和激活剂,该激活剂由Eu3+离子构成,该离子在该基质晶格内处于反对称位置。
4.如权利要求3所要求的低压汞放电灯,其特征在于,所述发光材料符合通式
M1xM2(1-x-y)BO3∶Eu3+y,其中M1是选自Sc、In以及Lu的元素,且其中M2是选自Sc、Y、La、Gd、Ga、In以及Lu的元素,M1不同于M2,且0.01≤y≤0.2,x>0,x+y<1,同时该发光材料具有方解石的晶格结构。
5.如权利要求4所要求的低压汞放电灯,其特征在于,M1和M2分别由In和Gd构成。
6.如权利要求-4或5所要求的低压汞放电灯,其特征在于,0.03≤y≤0.06。
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