[发明专利]具有连续磁导的磁头

说明书

本发明涉及一种磁头，该磁头具有一个以磁信息介质相对于磁头可作相对移动的第一方向和以横截于第一方向的第二方向延伸的端面，并包括一个磁头结构，该磁头结构具有一个其有效尺寸平行于第二方向延伸的传感元件，和一个以第二方向和横截于第一和第二方向的第三方向延伸的并到达端面的磁导，该磁导可与传感元件磁耦合并且具有在第二方向上的第一尺寸和在第三方向上的第二尺寸。

本发明也涉及一种多道磁头，该多道磁头具有一个以磁信息介质相对于磁头可作相对移动的第一方向和以横截于第一方向的第二方向延伸的端面，并且包括一个磁头结构，该磁头结构具有传感元件，该传感元件以第一方向观察是并置的，和磁导，该磁导以第二方向观察是并置的并至少以第二方向和以横截于第一和第二方向的第三方向延伸，且到达端面。

采用薄膜技术制造的磁头已由NL-A8902884(PHN 13.144)所公知，该磁头具有一个端面并包括具有多层结构的基片。该多层结构包括多个共面的软磁层，这些软磁层相互空间隔离并到达与磁记录介质磁配合的端面内。多层结构也没有与所述层，即磁阻或电感元件磁耦合的传感元件。每个传感元件具有一个有效部分，在该部分内在操作期间可检测或感应磁化强度的变化。虽然用已知的磁头可写和/或读的信息磁道较窄，但是因为已知磁头设有相隔开的各导磁层构形而具有有限的磁道密度，所以，在写时可达的磁迹密度和在读时可允许的磁迹密度是有限的。因此，需要较复杂的构成技术来建立这些层和确定读或写磁道，迫使层之间给定最小距离。

本发明的目的是提供一种具有较窄的读或写磁道并以简单方法实现的磁稳定的磁头。然后，当使用多道磁头时设计一种高磁道密度。

根据本发明的磁头，其特征在于，磁导在第二方向上具有一个比第三方向上小的相对磁导率，第一尺寸比第二尺寸大，并比传感元件的有效尺寸要大。

本发明的一个方面是基于这样一种认识，即具有精确规定读或写宽度的稳定的磁头在磁导中使用连续磁导并结合磁各向异性时可用相当简单方法来实现。根据本发明的磁头具有良好的信噪比，在相当程度上是由于所使用的磁导的磁稳定性。在实际的实施方案中，第一尺寸优选地至少约是第二尺寸的两倍。

已经发现一种优异限定的读或写磁道可以在第二方向上适用于较低磁导的磁导率，优选地低于100，特别是以小于在第三方向上的磁导率至少10倍的磁导率。

根据本发明的磁头的实际实施方案，其特征在于，磁导在第三方向上具有一个相对磁导率，它比在第二方向上的相对磁导率至少大25倍。

根据本发明的磁头是一种薄膜磁头，并可具有电感传感元件或磁阻传感元件，根据其用途，它可以是单个写磁头或读磁头。或者可以使磁头为多道磁头，即具有几个离散磁道的磁头。在每个实施中，磁头可应用在视频、数据、音频或多媒体系统中。如写磁头、读磁头和如写/读磁头，该磁头适合于与磁信息或记录介质，例如磁带或磁盘相配合。根据本发明的磁头也特别适合作为传感器。

适合于磁导的材料是，例如，NiFe合金、非晶CoNbZr合金或诸如FeTaN合金或FeNbSiN合金之类的毫微晶状铁合金。已经发现所述的铁合金，例如Fe_76.8Ta_10.2±0.2N_13.0±1.0或Fe_76.9Nb_10.2±0.2Si_2.2±0.3N_10.9±1.0具有从甚低频到甚高频，即远低于1KHz和远高于10KHz的所要求的各向异性磁导率。

该磁导率可以用已知方法在平的薄膜上，例如，在盘形基片上测得。例如，当使用在易磁化轴和难磁化轴方向的自感应测量时，各向异性的程度优选地可在高频上确定，其中磁畴壁的运动被足够地限制。

如果提供一种磁阻传感元件，根据本发明的磁头是优选的，其特征在于，磁导第三方向上是间断的，用于形成由磁阻元件跨接的一个缝隙。

根据本发明的磁头的一个实际实施方案，其特征在于，磁导的第一尺寸比传感元件的有效尺寸至少大40％。经统计，发现用作读磁头时磁头稳定性比已知读磁头要好得多。

本发明也涉及一种磁头，其特征在于，设有该类型的几个磁导，在第一方向观察，它们是并置的，每个磁导与传感元件磁配合。

在本专利申请中所描述的作用和优点也可应用到根据本发明的这种磁头。每个磁导在第三方向上具有的磁场或相对磁导率优选地比在第二方向上磁场或相对磁导率至少大10倍。