[发明专利]隧道效应器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97190420.0 | 申请日： | 1997-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1097857C | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 瑟盖·帕夫罗维奇·古宾;乌拉迪米尔·乌拉迪米罗维奇·克列索夫;伊乌格尼·瑟基维奇·苏尔达托夫;阿逖姆·瑟基维奇·齐弗诺夫;乌拉迪米尔·维克多罗维奇·克哈尹;格纳狄·伯里索维奇·克豪姆托夫;瑟盖·阿列山德罗维奇·亚科文库 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;瑟盖·帕夫罗维奇·古宾;乌拉迪米尔·乌拉迪米罗维奇·克列索夫;伊乌格尼·瑟基维奇·苏尔达托夫;阿逖姆·瑟基维奇·齐弗诺夫;乌拉迪米尔·维克多罗维奇·克哈尹;格纳狄·伯里索维奇·克豪姆托夫;瑟盖·阿列山德罗维奇·亚科文库 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隧道 效应 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种隧道效应器件，包括用隧道势垒分开的一个输入、一个输出和多个控制电极，其特征在于：该隧道势垒和势垒间的空间表现为形成隧道结的分子和簇的有序结构，该隧道结为器件中的单电子相关电子隧道效应创造条件，各个控制电极位于分子和簇的有序结构的区域中。
2.如权利要求1所述的隧道效应器件，其特征在于：该输入、输出和控制电极位于固体衬底的表面上。
3.如权利要求1或2所述的隧道效应器件，其特征在于：该衬底由石墨制成。
4.如权利要求1或2所述的隧道效应器件，其特征在于：该输入、输出和控制电极由金制成。
5.一种隧道效应器件的制备方法，该隧道效应器件具有在原子级平滑的固体衬底的表面上形成的一个输入、一个输出和多个控制电极，该制备方法包括在该衬底上形成单分子或多重单分子膜，其中，该单分子或多重单分子膜表现为带有可固定内装的活性分子和簇的惰性介质分子矩阵，该活性分子和簇是隧道电子的定位中心并形成单电子隧道结。
6.如权利要求5所述的用于制备隧道效应器件的方法，其特征在于：该带有内装的活性分子和簇的惰性介质分子矩阵使用朗缪尔-布洛杰特技术来形成。
7.如权利要求5或6所述的用于制备隧道效应器件的方法，其特征在于：用于形成惰性介质分子矩阵的是硬脂酸。
8.如权利要求5所述的用于制备隧道效应器件的方法，其特征在于：该带有固定地内装的活性分子和簇的惰性介质分子矩阵使用化学吸收技术来形成。
9.如权利要求5或8所述的用于制备隧道效应器件的方法，其特征在于：用于形成惰性介质分子矩阵的是硬脂酸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;瑟盖·帕夫罗维奇·古宾;乌拉迪米尔·乌拉迪米罗维奇·克列索夫;伊乌格尼·瑟基维奇·苏尔达托夫;阿逖姆·瑟基维奇·齐弗诺夫;乌拉迪米尔·维克多罗维奇·克哈尹;格纳狄·伯里索维奇·克豪姆托夫;瑟盖·阿列山德罗维奇·亚科文库，未经三星电子株式会社;瑟盖·帕夫罗维奇·古宾;乌拉迪米尔·乌拉迪米罗维奇·克列索夫;伊乌格尼·瑟基维奇·苏尔达托夫;阿逖姆·瑟基维奇·齐弗诺夫;乌拉迪米尔·维克多罗维奇·克哈尹;格纳狄·伯里索维奇·克豪姆托夫;瑟盖·阿列山德罗维奇·亚科文库许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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