[发明专利]半导体器件及其测试方法

权利要求书

1、一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于，它包含如下步骤：

将所述基片分产品区和测试图形区；

在所述基片上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜内及所述产品区和所述测试图形区上形成窗孔；

在所述窗孔内和所述绝缘膜上形成金属膜；

对所述金属膜进行图形加工形成布线图形；以及

对所述测试图形区上的所述窗孔内的所述金属膜的形成状态进行真实的测试以便估价在所述产品区内所述窗孔中的所述金属膜的形成状态；

在所述金属膜形成之后和对所述金属膜进行图形加工前而不损坏所述基片立即进行测试。

2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述测试图形区上的窗孔宽度比在所述产品区上的窗孔宽度窄，以及

在所述测试图形区上的窗孔密度比所述产品图形上的窗孔密度大。

3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

其中的测试是通过测量所述金属膜的薄层电阻进行的。

4、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：其中的薄层电阻是用四探针法测量的。

5、根据权利要求3所述的方法，其特征在于：其中的薄层电阻是在对所述金属膜施加磁场时，通过测量涡流电流测得的。

6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：其中的测试是当向所述金属膜辐射X-射线时通过测量所述金属膜的X-射线强度进行的。

7、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：其中的测试是通过经用卢瑟福背散射能谱测定法测得所述金属膜的深度分布进行的。

8、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：其中所述的金属膜是通过加热过程软熔金属形成在窗孔内的。

9、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的金属膜包含从铝及铜当中选出的一种。

10、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的窗孔包含从接触孔和通孔当中选出的一种。

11、根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属膜的形成状态是通过检查窗孔中是否存在空洞进行测试的。

12、一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于：它包含如下步骤：

将所述基片分为产品区及测试图形区；

在所述基片上形成第一金属膜；

在所述第一金属膜上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜内及在所述产品区和在所述测试图形区上形成窗孔，窗孔定位在所述第一金属膜上；

在所述窗孔内及在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜有一薄层电阻；

对所述第二金属膜进行图形加工以形成布线图形；以及

通过测量薄层电阻对所述测试图形区上所述窗孔中的所述第二金属膜的形成状态进行真实的测试以便估价在所述产品区上所述窗孔中的所述第二金属膜的形成状态；

测试是在所述第二金属膜形成之后及在对所述第二金属膜进行图形加工之前立即进行而检测而不会损坏所述基片。

13、根据权利要求12所述的方法，其特征在于：

在所述测试图形区上所述窗孔的宽度比所述产品区上窗孔的宽度窄，以及

在所述测试图形上的窗孔密度比所述产品图形上的窗孔密度大。

14、一种测试有一基片的半导体器件的方法，其特征在于，它包含如下步骤：

将所述基片分为产品区和测试图形区；

在所述产品区内形成杂质扩散层；

在所述基片上形成绝缘膜；

在所述产品区及所述测试图形区上的所述绝缘膜内形成窗孔，窗孔中有一个定位于所述杂质扩散层上；

在所述窗孔内及所述绝缘膜上形成金属膜；

对所述金属膜进行图形加工形成布线图形，以及

当X射线被辐射到所述金属膜上时通过测量所述金属膜的X射线强度进行对所述测试图形区上所述窗孔内的所述金属膜的形成状态进行真实测试以便估价在所述产品区上所述窗孔中的所述金属膜的形成状态；

测试是在所述金属膜形成之后及对所述金属膜进行图形加工之前立即进行而不会损坏所述基片。