[发明专利]电介质组合物和集成电路装置

权利要求书

1、一种集成电路装置，包括：

(a)衬底；

(b)位于衬底上的金属电路线，和

(c)位于电路线附近的电介质组合物，该组合物包括被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端的聚酰胺酸酯，式中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1，2或3以及n+m＝3，该电介质组合物的热膨胀系数低于1000×10^-6。

2、权利要求1所述的装置，其特征在于聚酰胺酸酯被三C_1-10烷氧基甲硅烷基C_1-10烷基或三C_1-10烷氧基甲硅烷基芳基封端。

3、权利要求2所述的装置，其特征在于聚酰胺酸酯包括选自9，9′-双(4-氨基苯基)笏(FDA)、4，4′-氧化二苯胺和1，1-双(4-氨基苯基)-1-苯基-2，2，2-三氟乙烷的二胺和选自1，2，4，5-苯四羧酸二C_1-6烷基酯二酰氯、氧化双邻苯二甲酸二C_1-6烷基酯二酰氯和联苯四羧酸二C_1-6烷基酯二酰氯的二酯二酰氯。

4、权利要求2所述的装置，其特征在于电介质组合物具有低于3.0的介电常数。

5、一种制造集成电路的方法，包括：

(a)在衬底上设置一层电介质组合物，该组合物包括被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端的聚酰胺酸酯，式中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1，2或3以及n+m＝3；

(b)加热组合物使聚酰胺酸酯发生亚胺化反应；亚胺化的聚酰胺酸酯的热膨胀系数低于1000×10^-6；

(c)对电介质层以光刻方式进行图形刻蚀；

(d)在经图形刻蚀的电介质层上淀积金属膜；和

(e)对膜进行平面化处理以形成集成电路。

6、权利要求5所述的方法，其特征在于聚酰胺酸酯被三C_1-10烷氧基甲硅烷基C_1-10烷基或三C_1-10烷氧基甲硅烷基芳基封端。

7、权利要求6所述的方法，其特征在于聚酰胺酸酯包括选自9，9′-双(4-氨基苯基)笏(FDA)、4，4′-氧化二苯胺和1，1-双(4-氨基苯基)-1-苯基-2，2，2-三氟乙烷的二胺和选自1，2，4，5-苯四羧酸二C_1-6烷基酯二酰氯、氧化双邻苯二甲酸二C_1-6烷基酯二酰氯和联苯四羧酸二C_1-6烷基酯二酰氯的二酯二酰氯。

8、一种制造集成电路的方法，包括：

(a)在衬底上淀积金属膜；

(b)对金属膜以光刻方式进行图形刻蚀；

(c)在经图形刻蚀的金属膜上淀积一层电介质组合物，该组合物包括被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端的聚酰胺酸酯，式中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1、2或3以及n+m＝3；

(d)加热组合物使聚酰胺酸酯发生亚胺化反应；亚胺化的聚酰胺酸酯的热膨胀系数低于1000×10^-6。

9、权利要求8所述的方法，其特征在于聚酰胺酸酯被三C_1-10烷氧基甲硅烷基C_1-10烷基或三C_1-10烷氧基甲硅烷基芳基封端。

10、权利要求9所述的方法，其特征在于聚酰胺酸酯包括选自9，9′-双(4-氨基苯基)笏(FDA)、4，4′-氧化二苯胺和1，1-双(4-氨基苯基)-1-苯基-2，2，2-三氟乙烷的二胺和选自1，2，4，5-苯四羧酸二C_1-6烷基酯二酰氯、氧化双邻苯二甲酸二C_1-6烷基酯二酰氯和联苯四羧酸二C_1-6烷基酯二酰氯的二酯二酰氯。

11、一种被(RO)_m(R″)_nSiR′-封端的聚酰胺酸酯，其中R和R′分别是C_1-6烷基或苯基；R″是氢，C_1-6烷基或苯基；m是1、2或3以及n+m＝3。