[发明专利]具有槽隔离结构的半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种具有槽隔离结构的半导体器件的制造方法，包括下列步骤：

在衬底上形成蚀刻阻挡层；

选择地除去一部分蚀刻阻挡层，以便露出该衬底；

在该衬底上形成槽；

在该槽的内表面上形成绝缘材料的槽垫层；

形成覆盖该槽垫层和该蚀刻阻挡层的槽填充材料层；

选择地除去一部分槽填充材料层，以便露出该蚀刻阻挡层和形成填充该槽的槽塞；

除去蚀刻阻挡层，以便露出衬底和突出在该衬底表面以上的槽塞部分；以及

在该衬底和该槽塞突出的突出部分的侧面上形成栅绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该蚀刻阻挡层由依次淀积氧化硅层和氮化硅层构成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该槽由各向异性蚀刻形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，该槽垫层由热氧化法形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，该槽填充材料层由淀积氧化硅层形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，该槽塞由对该槽填充材料层进行抛光形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，该槽塞由对该槽塞填充材料层进行等离子蚀刻形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括把沟道截止离子注入该衬底的槽底表面的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成栅绝缘层的步骤包括下列步骤：

形成覆盖包括该槽塞的该衬底表面的氧化材料层；

选择地除去一部分氧化材料层，以便在该槽塞的突出部分的侧表面上形成氧化材料的侧壁垫层；以及

在该衬底表面和该侧壁上进行氧化。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，该氧化材料层由淀积多晶硅形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，该侧壁垫层由进行对该氧化材料层的深腐蚀形成。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该栅绝缘层的步骤包括下列步骤：

形成覆盖包括该槽塞的该衬底的绝缘材料层；

选择地除去一部分绝缘材料层，以便形成侧壁垫层，而该侧壁垫层是在所述的该槽塞突出部分表面上的第一绝缘层；以及

在该衬底表面上进行氧化以形成第二绝缘层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，该绝缘材料层由淀积氧化硅层形成。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，该侧壁垫层由对该绝缘材料层进行深腐蚀形成。