[发明专利]液晶参数与盖板厚度间有优化关系的等离子体编址显示屏无效

专利信息
申请号: 97117818.6 申请日: 1997-07-11
公开(公告)号: CN1195154A 公开(公告)日: 1998-10-07
发明(设计)人: K·J·伊尔西辛;T·S·布泽克;P·C·马丁 申请(专利权)人: 特克特朗尼克公司
主分类号: G09F9/35 分类号: G09F9/35
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒,陈景峻
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 液晶 参数 盖板 厚度 优化 关系 等离子体 显示屏
【权利要求书】:

1、一种等离子体编址液晶显示屏,包括:

沟道基片,

盖板,

扭转向列液晶材料层,

上基片,和

位于上基片的下表面的电极阵列,其中 [ 2.43 ( V 90 - V 50 ) + V 50 ] [ 1 + d TD d LC · ϵ 1 ϵ TD ] - 0.9 V 10 [ 1 + d TD d LC · ϵ ϵ TD ] 25 ]]>这里,VX是正常黑色模式中将使简单TN液晶单元从截止态转换为X%透明度的电压,dID是盖板厚度,dLC是液晶材料层厚度,εTD是盖板的介电常数,ε是液晶材料的垂直介电常数,ε1是液晶材料的平行介电常数,dLCΔnLC在约0.4~0.5的范围,ΔnLC是液晶材料的折射率差。

2、一种等离子体编址液晶显示屏的操纵方法,所述显示屏包括:沟道基片,盖板,扭转向列液晶材料层,上基片,位于上基片的下表面的电极阵列,所述方法包括,用动态范围小于约25伏并由下式给出的电压驱动数据驱动电极, [ 2.43 ( V 90 - V 50 ) + V 50 ] [ 1 + d TD d LC · ϵ 1 ϵ TD ] - 0.9 V 10 [ 1 + d TD d LC · ϵ ϵ TD ] ]]>这里,VX是正常黑色模式中将使简单TN液晶单元从截止态转换为X%透明度的电压,dIP是盖板厚度,dLC是液晶材料层厚度,εTD是盖板的介电常数,ε是液晶材料的垂直介电常数,ε1是液晶材料的平行介电常数,dLCΔnLC在约0.4~0.5的范围,ΔnLC是液晶材料的折射率之差。

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