[发明专利]压控振荡器及其调整方法

说明书

本发明涉及其中谐振器由分层结构形成而电子元件安装在组成层压体的衬底上的高频用压控振荡器。本发明还涉及压控振荡器的调整方法。更具体地说，本发明涉及用于诸如移动电话等无线电通讯领域的压控振荡器及其调整方法。

正如图10A线路图所举例示出的，传统的压控振荡器包括：用来对高频成分进行扼流的电感L1、用来截断高频成分的电容C1、用来截断直流成分的电容C2、变容二极管D、谐振器L2、用来调整频率的可变电容C3、藕合用的藕合电容C4、放大用的晶体管T、构成晶体管T外围电路的反馈用电容C5，以及电阻R1和R2。

在这种压控振荡器中，变容二极管D的电容量Cv随着加在输入端1上的电压而变化。该压控振荡器的振荡频率f(V_T)用下列方程式(1)到(3)表达，式中谐振器L2的电感用L₂表示，电容C2的电容量用C₂表示，电容C3的电容量用C₃表示。f(V_T)＝1/[2π{1/(1/C₂+1/C_V)+C₃)}L₂]^1/2  …(1)C_V＝C₀+a V_T…(2)(a＜0)df/dV_T＝df(V_T，C₂，C₃，C₀，a)/dV_T  ＝1[1/{32π⁴f(V_T)³}]·{a L₂/(1+C_V/C₂)²}…(3)

在传统上，安排在输入端1和晶体管T之间的电容C2是由安装在层压体的衬底上的芯片组成的，或者作为另一方案，电容C2嵌入层压体的衬底内。正如未经审理的日本专利公告4-329705所描述的，当对在装入了谐振器L2的层压体表面上形成的导体进行微调，以调整电容C3的电容量时，在调整图10B中所示的中心频率f(V_M)，亦即由输入端给定中心电压V_M的情况下，振荡频率亦被调整。

但是，在压控振荡器中，不仅振荡频率f(V_T)，而且压控灵敏度df/d V_T(V_T)都有上、下限要控制。就是说，如图10B举例示出的，需要实现下列方程式(4)至(6)。f_L2＜f(V_L)＜f_L1    …(4)f_H1＜f(V_H)＜f_H2    …(5)(f_H1-f_L1)/(V_H-V_L)＜df/d V_T(V_T)＜(f_H2-f_L2)/(V_H-V_L)…(6)式中V_M是中心电压，V_H是加在输入端1的上限电压，V_L是下限电压，f(V_L)是下限电压V_L下的振荡频率，f(V_H)是上限电压V_H下的振荡频率，f_L1是下限电压V_L下的上限振荡频率，f_L2是下限电压V_L下的下限振荡频率，f_H1是上限电压V_H下的上限振荡频率，f_H2是上限电压V_H下的下限振荡频率。