[发明专利]半导体存储器

权利要求书

1、一种半导体存储器，其特征在于备有：

多个位线对；

多个与所述位线对交叉的字线；

包括对应于所述位线对与字线的交点以行列状配置、各自保存某一个二进制数据的多个存储单元的存储单元阵列；

根据来自外部的指令把老化试验方式信号激活的工作方式设定装置；

根据所老化试验方式信号的激活，依次地选择所述存储单元，循环地输出对应于所述依次选择的存储单元的物理地址的内部地址信号的内部地址发生装置；

根据所述内部地址信号选择对应的存储单元并进行数据写入的存储单元选择装置；

对根据所述多个位线对、多个字线和多个存储单元的配置，通过所述内部地址信号依次选择的存储单元，把内部写入数据输出到所述存储单元选择装置以便把所述二进制数据以校验结构状写入的内部数据发生装置。

2、根据权利要求1中所述的半导体存储器，其特征在于：

所述内部地址发生装置包括：

根据所述老化试验方式信号的激活，输出依次选择所述存储单元阵列的行的内部行地址信号使其对应于物理地址的内部行地址发生装置；

对所述内部行地址发生装置的行选择的每一次循环，输出对依次选择的内部列地址进行更新的内部列地址信号的内部列地址发生装置，

所述存储单元选择装置包括：

根据所述内部行地址信号选择对应字线的行选择装置，

根据所述内部列地址信号选择对应位线对并进行数据写入的列选择装置。

3、根据权利要求2中所述的半导体存储器，其特征在于：

还备有根据所选择存储单元的存储信息，对对应的位线对的电位进行互补驱动的多个读出放大器；

所述内部行地址发生装置包括：

内部时钟发生装置；

根据所述内部时钟发生装置的输出循环地输出内部行地址信号的行地址计数装置，

所述工作方式设定装置根据来自外部的指令使所述老化试验方式信号及自更新方式信号中的某一个信号激活，

根据所述老化试验方式信号的激活，对用所述行选择装置及列选择装置所选择的存储单元写入所述内部数据发生电路的输出，

根据所述自更新方式信号的激活，使所述列选择装置去激活，所述行选择装置根据所述内部地址信号选择对应的字线，而且，所述读出放大器向连接到所选择的所述字线上的多个存储单元进行存储信息的再写入。

4、根据权利要求3中所述的半导体存储器，其特征在于：

所述内部时钟发生装置还包括使在所述老化试验方式信号激活时输出的内部时钟信号的周期短于在所述自更新方式信号激活时输出的内部时钟信号的周期的分频装置。

5、根据权利要求1中所述的半导体存储器，其特征在于，还备有：

把来自所述外部的指令作为电压信号接收的试验端子；

把提供到所述试验端子上的电位作为电源电压供给到所述半导体存储器上的电源电位供给装置，

所述工作方式设定装置根据提供给所述试验端子的电位，使所述老化试验方式信号激活。

6、根据权利要求1中所述的半导体存储器，其特征在于：

所述半导体存储器从所形成的半导体盖板上作为芯片分离下来，还备有：

存在于所述芯片表面最外周部上的分离加工时的加工裕量区域；

配置到所述加工裕量区域周围芯片表面的内部区域上从外部供给电源电位的多个电源端子；

从所述各电源端子延伸到所述加工裕量区域上的布线。

7、根据权利要求6中所述的半导体存储器，其特征在于：所述布线为多晶硅布线。

8、根据权利要求5中所述的半导体存储器，其特征在于：

所述半导体存储器从所形成的半导体衬底上作为芯片分离下来，还备有：

存在于所述芯片表面最外周部上的分离加工时的加工裕量区域；

配置到所述加工裕量区域周围芯片表面的内部区域上从外部供给电源电位的多个电源端子；

从所述各电源端子延伸到所述加工裕量区域上的布线，

所述多个电源端子包括所述试验端子。

9、根据权利要求8中所述的半导体存储器，其特征在于：所述布线为多晶硅布线。