[发明专利]半导体激光器、光拾取器件及光记录和/或复制装置

权利要求书

1.半导体激光器，包括：

一个衬底，

一个在所述衬底上的第一包层，

一个在所述第一包层上的有源层，以及

一个在所述有源层上的第二包层；以及

所述第二包层具有平行于p-n结方向并且垂直于谐振腔纵向方向上的多个等效复折射率台阶。

2.根据权利要求1的半导体激光器，其中所述的多个等效复折射率台阶通过仅改变它的折射系数形成。

3.根据权利要求1的半导体激光器，其中所述的所有多个等效复折射率台阶伴随着它们的折射系数而变化，以及所述的多个等效复折射率台阶中至少有一个伴随着它的消光系数而变化。

4.根据权利要求1的半导体激光器，其中所述的多个等效复折射率台阶包括第一和第二等效复折射率台阶并且第一和第二等效复折射率台阶的距离不小于0.1μm。

5.根据权利要求1的半导体激光器，其中所述的多个等效复折射率台阶的值沿朝着发射中心的方向增加。

6.一个使用半导体激光器作为光源的光拾取器件，其中所述的半导体激光器包括：

一个衬底，

一个在所述衬底上的第一包层，

一个在所述第一包层上的有源层，

一个在所述有源层上的第二包层；以及

所述第二包层具有平行于p-n结方向并且垂直于谐振腔纵向方向上的多个等效复折射率台阶。

7.一个使用半导体激光器作为光源的光记录/复制装置，其中所述的半导体激光器包括：

一个衬底，

一个在所述衬底上的第一包层，

一个在所述第一包层上的有源层，

一个在所述有源层上的第二包层；以及

所述第二包层具有平行于p-n结方向并且垂直于谐振腔纵向方向上的多个等效复折射率台阶。