[发明专利]半导体装置之金属布线制造方法无效
| 申请号： | 97111907.4 | 申请日： | 1997-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1094253C | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 郑镇基 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 袁炳泽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 金属 布线 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置之金属布线的制造方法，包括步骤：
沉积一层障碍物金属层于绝缘薄膜之上，而且使该障碍物金属层经过六氟化硫(SF6)等离子体处理；
依序形成一层铝金属层、一层防止反射层以及光致抗蚀剂薄膜图案于该障碍物金属层的表面之上；
以该光致抗蚀剂薄膜图案当作蚀刻掩模，蚀刻该防止反射层、该铝金属层以及该障碍物金属层而形成金属布线，并且去除该光致抗蚀剂薄膜图案。
2.如权利要求1的方法，其中该障碍物金属层系以钛或氮化钛来做的。
3.如权利要求1的方法，其中该铝金属层系以铝-硅-铜(Al-Si-Cu)来做的。
4.如权利要求1的方法，其中该使用六氟化硫(SF6)以20-100SCCM的速率来实施该六氟化硫(SF6)等离子体处理。
5.如权利要求1或4的方法，其中在电源电力为500-2000瓦以及偏压电力为0-100瓦时实施该六氟化硫(SF6)等离子体处理。
6.如权利要求1或4的方法，其中在压力为2.0-20.0毫乇(mTorr)时实施该六氟化硫(SF6)等离子体处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/97111907.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：动力驱动振动手工工具
- 下一篇：两维移动两维转动四轴并联机床结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
