[发明专利]引线框、半导体器件及该半导体器件的制造工艺

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

(1)在主表面上形成绝缘层的支撑体；

(2)安装在所述支撑体的绝缘层上的正方形半导体芯片；

所述半导体芯片包括在第一方向上延伸的第一对平行边和在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二对平行边，

所述半导体芯片包括多个在其主表面上形成的键合压焊区，所述多个键合压焊区包括沿所述第一对平行边排列的第一键合压焊区行和沿所述第二对平行边排列的第二键合压焊区行；

(3)多个排列成包围所述半导体芯片的引线，

所述多个引线的一端排列在所述支撑体的绝缘层上，而所述多个引线的另一端从所述支撑体延伸到外部；

(4)多个以导电方式连接所述多个引线的一端和所述多个键合压焊区的键合焊丝；以及

(5)将所述支撑体、所述半导体芯片、所述多个键合焊丝和所述多个引线的一部分密封起来的大致正方形的封装体，

所述封装体包括基本上与所述第一对平行边平行的第三对平行边，和基本上与所述第二对平行边平行的第四对平行边，

其中所述多个引线包括从所述封装体的第三对平行边伸出的第一引线组，和从所述封装体的第四对平行边伸出的第二引线组，

其中将所述第一引线组用所述键合焊丝以导电方式连接到所述第一压焊区行，以及

其中将所述第二引线组以导电方式连接到所述第二键合压焊区行和所述第一键合压焊区行的部分。

2.权利要求1中所述的半导体器件，其中所述封装体一般是矩形的，所述第三对平行边对应于所述封装体的短边，和所述第四对平行边对应于所述封装体的长边。

3.权利要求2中所述的半导体器件，其中所述半导体芯片一般是正方形的。

4.一种半导体器件，其中半导体芯片安装在支撑体上，内引线通过绝缘层固定于该支撑体上，所述半导体芯片和所述内引线密封于封装体内，

其中将多个引线的一部分内引线的引线端配置成面对另一边，该另一边邻近于跨过半导体芯片的角部至对应于该封装的一边的半导体芯片一边，上述多个引线的外引线从封装的该一边伸出。

5.一种半导体器件，其中半导体芯片安装在支撑体上，内引线通过绝缘层固定于该支撑体上，所述半导体芯片和所述内引线密封于封装体内，

其中在对应于该封装的角部的内引线之间配置虚设引线，它们的一端延伸到内引线的引线端，它们的另一端不引出到封装的外部。

6.权利要求4中所述的半导体器件，其中将所述内引线的引线端用设置在上述支撑体的整个表面上的粘附层固定于半导体芯片安装区的整个周边。

7.权利要求4中所述的半导体器件，其中内引线的引线端的最大引线间距小于最小引线间距的两倍。

8.权利要求4中所述的半导体器件，其中使对应于所述半导体芯片的角部的所述内引线引线端的引线间距比在其他引线的引线端的引线间距宽。

9.权利要求8中所述的半导体器件，其中使对应于所述半导体芯片角部的所述内引线引线端的引线间距在朝向所述半导体芯片的角部时增加。

10.权利要求4中所述的半导体器件，其中使所述半导体芯片角部处设置的压焊区电极的压焊区间距比其他压焊区电极的压焊区间距宽。

11.权利要求10中所述的半导体器件，其中使所述半导体芯片的压焊区电极的压焊区间距在朝向所述半导体芯片的角部时增加。

12.权利要求5中所述的半导体器件，其中使对应于所述半导体芯片角部的所述内引线引线端跨越键合到所述半导体芯片的压焊区电极上，该压焊区电极配置在邻近于跨过半导体芯片的角部至面对所述内引线的所述半导体芯片的一边的另一边。

13.权利要求4中所述的半导体器件，其中借助于绝缘性粘接剂将所述内引线固定到所述支撑体上。

14.权利要求4中所述的半导体器件，其中所述支撑体由具有良好的热导率的材料制成。

15.权利要求4中所述的半导体器件，其中将所述焊丝支撑部分置于所述半导体芯片和所述内引线的引线端之间的所述支撑体上。