[发明专利]光学半导体器件无效
| 申请号： | 97110234.1 | 申请日： | 1997-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1175808A | 公开（公告）日： | 1998-03-11 |
| 发明（设计）人： | 元田隆;小野健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种光学半导体器件，其特征在于，包括：第一导电型夹层；第二导电型夹层；在上述第一导电型夹层和第二导电型夹层之间配置的、由半导体构成的活性层；在上述第二导电型夹层和活性层之间配置的、比上述活性层的禁带宽度还大的第一化合物半导体；比该第一化合物半导体的导带能量差ΔEc小而比价带能量差ΔEv大的第二化合物半导体；具有一对以上交互叠合构成的超晶格结构的第二导电型的超晶格势垒层。
2.权利要求1所述的光学半导体器件，其特征在于包括Al和Ga，Al和Ga的组分比使该第一化合物半导体的ΔEc变得最大；
上述第二化合物半导体包括A和Ga，Al和Ga的组分比使该ΔEv比上述第一化合物半导体的ΔEv大。
3.权利要求所述的光学半导体器件，其特征在于，第一化合物半导体由(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P构成，上述第二化合物半导体由(AlxGa(1-x))0.5In0.5P(0.7＜x≤1)构成。
4.一种权利要求1所述的光学半导体器件，其特征在于，上述第一化合物半导体由Al0.48Ga0.52As构成，上述第二化合物半导体由AlxGa(1-x)As(0.48＜x≤1)构成。
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