[发明专利]改善高温超导薄膜晶片性能的方法

权利要求书

1、一种用于从高温Tl-Ba-Ca-Cu-O超导薄膜表面去除粗糙物的方法，该方法包括将高温超导膜表面暴露于惰性离子束中，该离子束的入射角相对于该薄膜表面为5°-约30°。

2、一种降低高温超导薄膜的微波表面阻抗的方法，该方法包括以下步骤：

a)在该高温超导薄膜表面涂覆一保护涂层，和

b)将该涂覆的薄膜暴露于惰性离子束中，该离子束的入射角相对于该涂覆的薄膜表面为5-30°。

3、权利要求2的方法，还包括在暴露步骤之后从薄膜表面去除任何残余保护涂层的步骤。

4、权利要求2的方法，其中的保护涂层用旋涂法涂覆并且在暴露步骤之前固化。

5、权利要求2的方法，其中的保护层包括选自聚甲基丙烯酸甲酯和聚酰亚胺的有机聚合物。

6、权利要求5的方法，其中的保护涂层是聚甲基丙烯酸甲酯。

7、权利要求6的方法，其中的步骤a)包括旋涂6％的聚甲基丙烯酸甲酯溶液，随后在170℃固化聚甲基丙烯酸甲酯约30分钟。

8、权利要求7的方法，还包括在暴露步骤后将薄膜暴露在氧等离子体中的步骤，以去除任何残留的聚甲基丙烯酸甲酯。

9、权利要求1的方法，其中的HTS薄膜包括Tl₂Ba₂CaCu₂O₈。

10、权利要求2的方法，其中的HTS薄膜包括Tl₂Ba₂CaCu₂O₈。

11、权利要求1的方法，其中的入射角相对于薄膜表面为10-20°。

12、权利要求2的方法，其中的步骤b)包括将涂覆的薄膜以相对于该涂覆的薄膜表面10-20°的入射角暴露。

13、权利要求1的方法，其中的离子束包括氩离子束。

14、权利要求2的方法，其中的离子束包括氩离子束。

15、权利要求1的方法，还包括在暴露步骤过程中冷却该薄膜的步骤，以使该膜的温度不大于约120℃。

16、权利要求15的方法，其中的冷却步骤包括用氦冷却气体冷却该膜。

17、权利要求2的方法，还包括在暴露步骤过程中冷却该薄膜的步骤，以使该膜的温度不大于约120℃。

18、权利要求17的方法，其中的冷却步骤包括用氦冷却气体冷却该膜。