[发明专利]一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法

权利要求书

1、一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法，包括超高真空电子束蒸发系统，硅片或玻璃片衬底及衬底的有机化学溶剂和去离子水清洗、烘干工艺，其特征在于，超高真空电子束蒸发系统中配置的二支电子枪控制蒸发镍Ni、钴Co、铜Cu金属靶组份材料。

2、根据权利要求1所述的一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法，其特征在于，组份靶材料中的镍Ni还可以是镍的合金镍铁钴NiFeCo或镍铁NiFe。

3、根据权利要求1或2所述的一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法，其特征在于，金属靶组份材料的纯度均为99.9％。

4、根据权利要求1所述的一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法，其特征在于，向衬底上蒸发沉积生长金属薄膜前的靶室真空度为5×10^-9毫巴；蒸发沉积生长金属薄膜时靶室真空度为5×10^-8毫巴。

5、根据权利要求1所述的一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法，其特征在于，薄膜的厚度由石英晶振器原位测量及控制。

6、一种用超高真空电子束蒸发沉积方法制备的多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料，包括硅片或玻璃片衬底，其特征在于多层膜中有软磁过渡层SM，材料结构为Si/SM(x)/Co(y)/Cu(z)/Co(h)。

7、根据权利要求6所述的一种用超高真空电子束蒸发沉积方法制备的多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料，其特征在于，材料结构式中的软磁过渡层SM材料为镍(Ni)或镍铁(NiFe)或镍铁钴(NiFeCo)。

8、根据权利要求6所述的一种用超高真空电子束蒸发沉积方法制备的多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料，其特征在于，材料结构式中的软磁过渡层SM层厚为x=10-70，磁性材料Co层厚y=20-100，非磁性材料Cu层厚为z=20-80，磁性材料Co层厚h=20-100。

9、根据权利要求6或8所述的一种用超高真空电子束蒸发沉积方法制备的多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料，其特征在于，最佳材料结构式中的软磁过渡层SM层厚为50，磁性材料Co层厚70，非磁性材料Cu层厚为50，磁性材料Co层厚70。