[发明专利]免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法无效
| 申请号： | 97104998.X | 申请日： | 1997-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1072396C | 公开（公告）日： | 2001-10-03 |
| 发明（设计）人： | 林定皓 | 申请（专利权）人： | 华通电脑股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 免基板 免锡球 阵式 集成电路 封装 方法 | ||
1．一种免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于包括：
在铜片上覆盖供形成外部接点的干膜，并对未被干膜覆盖的铜片表面施以略微蚀刻，以形成概略呈圆凹槽的步骤，
对该各凹槽部位施以电镀，而形成覆盖在各个凹槽内的圆粒状第一电镀层的步骤，
去除前述干膜的步骤，
覆盖线路干膜，而对铜片中央部位以及对应于前述第一电镀层的上方电镀形成第二电镀层的步骤，
再行覆盖另一干膜，并在形成第二电镀层的铜片中央部位的两侧开口形成焊垫区，使该焊垫区外露的步骤，
对该焊垫区进行电镀形成第三电镀层的步骤，
去除前述各层干膜的步骤，
植入芯片、进行引线键合及封胶的步骤，及
蚀刻底面铜片，而使各个第一电镀层的底面外露与一涂覆绿漆的步骤。
2．根据权利要求1所述的免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于：该第一电镀层由下至上依序为以镍、金、镍、铜等材料组合而成。
3．根据权利要求1或2所述的免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于：该涂覆绿漆的步骤后，更包括一剥离第一电镀层局部材料层的步骤。
4．根据权利要求3所述的免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于：该被剥离的材料层为镍。
5．根据权利要求1所述的免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于：该第二电镀层是以镍、铜材料组合而成。
6．根据权利要求1所述的免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于：该第三电镀层为金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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