[发明专利]成像设备、电子发生设备和发生设备制造及特性调节方法无效
| 申请号: | 97102639.4 | 申请日: | 1997-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN1093980C | 公开(公告)日: | 2002-11-06 |
| 发明(设计)人: | 山口英司;鲈英俊 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
| 主分类号: | H01J9/44 | 分类号: | H01J9/44;H01J9/02;H01J1/316;H01J31/12 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 设备 电子 发生 制造 特性 调节 方法 | ||
1.一种调节具有多电子束源的电子发生设备特性的方法,所述多电子束源包括一批表面传导发射器件和用来对各表面传导发射器件输出驱动电压的驱动装置,所述方法包括下述步骤:施加特性测量电压来测量这批表面传导发射器件的电子发射特性;根据测得的电子发射特性来求得电子发射特性待移位的这批表面传导发射器件电子发射特性的所需值;以及给电子发射特性待移位的这批表面传导发射器件施加特性移位电压,以使这批表面传导发射器件的电子发射特性变成所需值,其中的特性移位电压高于特性测量电压,而特性测量电压又高于上述驱动电压。
2.如权利要求1所述方法,特征在于:在有机气体的分压不超过10-8乇的气氛中施加所述特性移位电压。
3.如权利要求1所述方法,特征在于,此方法还包括下述步骤:在施加特性移位电压之后再次测量所述这批表面传导发射器件的特性;并根据此再次测量的结果,对所述的电子发射特性待移位的表面传导发射器件再施加特性移位电压。
4.如权利要求1所述方法,特征在于:上述测量步骤包括,在每次向所述表面传导发射器件施加特性测量电压时测量从所述表面传导发射器件发射出的发射电流。
5.如权利要求1所述方法,特征在于:上述测量步骤包括在每次向所述表面传导发射器件施加特性测量电压时测量在所述表面传导发射器件中流动的器件电流。
6.如权利要求1所述方法,特征在于:上述测量步骤包括在每次向所述表面传导发射器件施加特性测量电压时测量被来自所述表面传导发射器件的电子辐射的荧光体的光发射亮度,并将测量出的亮度变换为对应于所述表面传导发射器件的发射电流与器件电流之一的数值。
7.一种制造电子发生设备的方法,此设备具有多电子束源,所述多电子束源包括一批表面传导发射器件和用来将驱动电压输出给各表面传导发射器件的驱动装置,所述方法包括下述步骤:在基片上形成用于这批表面传导发射器件的电极与导电膜;通过上述电极对所述导电膜起电来形成用于这批表面传导发射器件的电子发射部;激活这些电子发射部;施加特性测量电压来测量这批表面传导发射器件的电子发射特性;根据测量出的电子发射特性求得电子发射特性待移位的这批表面传导发射器件电子发射特性的所需值;以及给电子发射特性待移位的这批表面传导发射器件施加特性移位电压,使得这批表面传导发射器件的电子发射特性成为所需值,其中上述特性移位电压高于所述特性测量电压,而此特性测量电压又高于前述驱动电压。
8.如权利要求7所述方法,特征在于:在有机气体的分压不超过10-8乇的气氛中施加所述特性移位电压。
9.如权利要求7所述方法,特征在于:此方法还包括下述步骤,在施加特性移位电压之后再次测量所述这批表面传导发射器件的特性;并根据此再次测量的结果,对所述的电子发射特性待移位的表面传导发射器件再施加特性移位电压。
10.如权利要求7所述方法,特征在于:上述测量步骤包括,在每次向所述表面传导发射器件施加特性测量电压时测量从所述表面传导发射器件发射出的发射电流。
11.如权利要求7所述方法,特征在于:上述测量步骤包括,在每次向所述表面传导发射器件施加特性测量电压时测量在所述表面传导发射器件中流动的器件电流。
12.如权利要求7所述方法,特征在于:上述测量步骤包括,在每次向所述表面传导发射器件施加特性测量电压时测量被来自所述表面传导发射器件的电子辐射的荧光体的光发射亮度,并将测量出的亮度变换为对应于所述表面传导发射器件的发射电流与器件电流之一的数值。
13.一种电子发生设备,此设备包括:多电子束源,其中将一批表面传导发射器件设置于基片上;以及驱动装置,用来根据图像信号驱动上述多电子束源,而此电子发生设备则是根据权利要求7所述的方法制造的。
14.一种成像设备,此设备包括:权利要求13中所述的电子发生设备以及荧光体,此荧光体在由所述多电子束源的电子束照射下发射光。
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